AIDC电源800V架构推进提速，功率半导体Q3涨价潮蓄势待发

国内功率半导体IDM龙头，2025年报显示6英寸SiC产线持续上量、8英寸SiC产线已通线；甬兴证券2026-06-22研报指出其为英伟达800V DC架构提供15V-1200V全链路GaN电源方案，第一上海2026-05-26研报点名"功率涨价与AI电源打开成长空间"；近4日主力净流入5.1亿元，市场正在定价。

全球IGBT模块市占第五（Omdia 2023），IGBT模块占2025年收入83.6%；年报明确"AI服务器单机功率、机柜供电密度大幅提升，功率半导体作为服务器电源、母线配电模块核心基础器件，算力升级显著拉高功率器件单机用量与搭载规格"，直接受益Q3涨价+800V架构用量提升。

中金公司2026-05-07研报：公司在2026 Open AI Infra Summit展出800V全链路供电解决方案，通过Sidecar机柜级供电形态构建电网到芯片端到端直流供配电体系，为下一代AIDC供电方案核心卡位厂商；电源产品占2025年收入28.5%，主力近4日净流入5.6亿元。

数据中心电源占2025年收入45.2%、利润54.2%，为第一主业；2025年报预测AI整机柜服务器（含英伟达/AMD多平台）出货量从2025年1.9万机柜增至2027年8万、2026年同比+185%，直接受益800V高功率服务器电源放量与提价。

2025年报披露布局AIDC电源业务，提供固态变压器SST及电源解决方案；交银国际2026-05-29研报称英伟达白皮书已将800V高压直流列入AIDC推荐配电方案、公司在SST领域积累深厚，已与海外AI龙头就AIDC电源和储能深度对接；主力近4日净流入11.6亿元。

据Yole 2025年碳化硅业务排名，为中国SiC器件厂商第一；SiC MOSFET芯片及模组覆盖650-3300V平台，功率器件应用于服务器电源（2025年报），功率模块出货量居中国市场前列，直接受益SiC对硅基替代与国产切换。

中金公司2026-04-25研报：公司2025年成立AIDC关键电源事业部，布局800V HVDC、SST等下一代AIDC电源产品，对接国内外客户；据维谛指引800V HVDC产品2H26发布、27年实质出货，公司卡位AIDC强电架构转型窗口。

高压超级结MOSFET龙头，产品覆盖数据中心服务器电源、5G基站电源等；2026-03-25公告收购慧能泰补齐数字电源控制IC，构建"高性能功率器件+数字控制"大功率电源全链路方案，受益800V电源对高压、高频功率器件需求跃升。

国内MOSFET设计龙头（Omdia统计2021年国内MOSFET销售额含英飞凌等国际厂商排名第5、设计领域第1），产品覆盖12V-1700V全系列；功率器件占收入95.6%，2025年报引述全球SiC功率器件市场进入高速成长期，IGBT/MOSFET涨价周期直接受益。

数据中心电源占2025年收入36.3%、利润30.3%，为第一大业务；公司是国内HVDC高压直流供电先行者，契合AIDC供电从UPS向800V HVDC、单相向三相演进方向，直接受益架构升级带动的电源设备增量需求。

2025年报披露"开发低比导通电阻沟槽栅MOSFET芯片技术达到国际第四代水平，提升SiC半导体核心竞争力"，SiC产线逐步爬坡；中车体系功率半导体平台，产品覆盖高压IGBT/SiC器件，受益海外龙头提价后的国产替代与涨价传导。

SiC衬底收入占99.6%，为全球碳化硅衬底龙头；2025年报引弗若斯特沙利文数据：碳化硅功率器件渗透率2019-2023年由1.1%增至5.8%、预计2030年达22.6%，800V AIDC电源规模化应用直接拉动导电型SiC衬底需求。

旗下安世半导体为全球功率半导体IDM龙头之一，产品含SiC MOSFET/二极管、IGBT、GaN FET（2025年报），是英飞凌/安森美大幅提价后下游切换的国产直接承接方；半导体业务占收入43.6%、贡献利润89.6%。

"800V电源+全液冷成为标准配置"直接受益方；2025年报披露全链条液冷产品（冷板、Manifold、CDU、机柜、液冷工质）已获头部算力芯片厂商规模采购，UQD产品被英伟达列入MGX生态系统合作伙伴，对应高功率密度机柜散热刚需。

IGBT/FRD+SiC功率模块厂商，模块占收入76.7%；2025年报披露与北京怀柔实验室达成碳化硅技术及成果转化战略合作，聚焦SiC芯片/器件/模块在国家能源关键领域落地，受益功率器件Q3涨价与第三代半导体国产化双逻辑。