韩国KOSPI指数涨幅扩大至4% 三星电子涨逾7%

光大证券2026-03-05研报确认公司为SK海力士HBM前驱体独家供应商，全球HBM前驱体市占率约18%；2025年报前驱体营收21.11亿元(+8.01%)、毛利率44.79%，广泛用于3D NAND/DRAM先进制程。SK海力士大涨对应的HBM放量直接拉动其独家供货订单，近4日主力净流入约0.94亿元。

2025年报明确"公司第一大供应商为SK海力士，向SK海力士采购的产品为数据存储器"，子公司联合创泰拥有SK海力士、MTK等一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占比94.2%。SK海力士存储涨价与扩产直接提升其分销业务量价，近4日主力净流入6.5亿元。

控股子公司海太半导体以"全部成本+约定收益"模式为SK海力士提供半导体后工序服务（存储封测），2025年7月公告《第四期后工序服务合同》已正式签署生效；2025年报半导体业务收入占比15.3%。SK海力士2026年资本开支计划增至30万亿韩元（年报披露），直接带动其封测订单，近4日主力净流入9.6亿元。

存储模组+封测一体化，嵌入式存储收入占比60.9%；2026年1-2月业绩预告披露"2026年存储行业迎来高度景气周期，AI算力与国产替代驱动DRAM/NAND价格持续上涨，行业供不应求，公司受益显著"；年报引用TrendForce：2025Q4 NAND/DRAM合约价环比分别+33%~38%/+45%~50%。三星/SK海力士涨价直接推升其产品售价与毛利。

存储芯片收入占比71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二，利基型DRAM（DDR4/DDR3L/LPDDR4）2024年市占率全球第七、中国内地第二；2025年报称"海外大厂加快淡出利基型DRAM市场，自2025Q2起公司利基DRAM产品量价齐升"。三星/SK海力士涨价周期带动利基DRAM价格上行，公司直接受益并承接海外大厂退出份额。

全球领先半导体存储品牌企业，主营NAND Flash及DRAM存储产品，2025年报嵌入式存储占收入44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%；拥有自研主控+封测垂直整合能力。存储颗粒涨价周期下产品提价与库存增值直接增厚利润，为存储模组赛道核心受益标的。

球形硅微粉收入占58.4%（2025年报），年报明确聚焦"异构集成先进封装（Chiplet、HBM等）"用纳米级球形二氧化硅等粉体，为HBM封装EMC/underfill关键填料供应商；2025年业绩快报称先进封装加速渗透驱动收入利润稳步扩大。SK海力士HBM扩产直接拉动其高端粉体需求。

存储半导体业务占收入26%（2025年报），主营DRAM、NAND FLASH及嵌入式存储芯片封测（DDR4/DDR5/LPDDR4/LPDDR5等），是国内存储封测核心厂商。存储超级周期下封测产能利用率与ASP双升，并积极扩充优质产能，直接受益于海外原厂扩产与国产存储放量。

半导体环氧塑封料收入占93.5%，并购衡所华威后年产销量突破25000吨、稳居国内龙头并跃居全球出货量第二（2025年报）；HBM/先进封装用GMC塑封料国产核心供应商。SK海力士HBM扩产带动先进封装材料需求，公司作为国内塑封料龙头直接受益。

国内存储主控芯片第一股，固态硬盘占收入42.5%、嵌入式存储34%（2025年报），具备自研主控+固件方案+存储模组一体化能力。NAND颗粒涨价周期下存储模组量价齐升，受益于三星/SK海力士主导的存储涨价周期；同赛道弹性弱于佰维/江波龙，评分略降。

测试机收入占60.5%（2025年报）；东吴证券2026-06-23研报指出HBM 3D堆叠使CP测试道数由3-4道增至15道以上、测试设备需求成倍增长，SK海力士2026Q1净利润同比+406%，长鑫存储亦启动HBM扩产。公司作为国产测试机龙头，受益于全球及国产存储扩产带来的测试设备放量。

大直径硅材料及硅电极零部件收入占比54.1%（2025年报），硅零部件供应等离子刻蚀设备（北方华创、中微）及长江存储、长鑫存储等晶圆厂；2025年报以大篇幅论述SK海力士HBM扩产、2026年资本开支30万亿韩元及清州M15X晶圆厂。HBM产能扩张带动刻蚀耗材需求，属两跳传导。