中泰电子深度：长鑫LPDDR6有望下半年量产，HBM3有望2026年量产

与长鑫科技2026年关联交易采购额达57.11亿元（招商证券2026-05-06研报），为长鑫DRAM最大下游采购方之一；26Q1利基DRAM收入环比翻倍、占总收入约1/3，存储芯片占2025年收入71.3%。长鑫LPDDR6/HBM3量产直接扩大其国产DRAM供给，2026年DRAM涨价增厚利基DRAM量价。注意主力5日净流出约26.6亿，前期涨幅已有兑现。

公司档案明确解决合肥长鑫、长江存储、中芯国际等客户气体材料进口制约，并进入美光、SK海力士、三星供应链；高纯三氟甲烷、乙硅烷等特气为DRAM制程及HBM TSV刻蚀核心耗材。长鑫3座12寸厂2026达产+上海DRAM/HBM产线投产直接拉动特气需求。主力5日净流入3.56亿元。

东吴证券2026-06-23研报：长鑫存储已启动HBM扩产、拟IPO募资295亿用于DRAM（含HBM）技术升级，国产HBM量产将带动存储测试设备需求放量；HBM 3D堆叠使CP测试道数由3-4道增至15道以上。公司为国产测试机龙头，测试机收入占2025年60.5%，存储测试为第二增长曲线。

国产存储器测试设备全品类厂商，产品含DRAM FT测试机、老化测试及修复设备、面向DRAM设计与制造企业的UDS通用测试验证系统，半导体存储器件测试收入占2025年55.6%；华安证券2026-05-01研报将其定位为国产存储扩产大周期核心标的。长鑫LPDDR6量产导入与HBM3放量直接对应其测试设备需求。

浙商/招商/华安证券多份研报确认其硅零部件已进入长鑫存储、长江存储、福建晋华、SK海力士（大连）等主流存储厂供应链，为等离子刻蚀腔体核心耗材；2025年硅零部件收入2.37亿元、同比+100%，收入占比54.1%。长鑫3座12寸DRAM厂全部达产将放大耗材消耗。

国内半导体设备平台龙头，12英寸深硅刻蚀设备用于2.5D/3D先进封装TSV刻蚀，CCP介质刻蚀用于存储芯片台阶刻蚀，电子工艺装备收入占93.3%。长鑫合肥/北京3座12寸DRAM厂达产及上海DRAM/HBM产线建设是其设备采购核心受益方，覆盖刻蚀/沉积/清洗等多环节。

半导体前驱体（high-k、硅基、金属材料）广泛用于DRAM、3D NAND、HBM先进制程薄膜沉积，2025年半导体收入占比31.4%、电子材料收入占比59%。前驱体为DRAM电容与晶体管关键沉积材料，长鑫LPDDR6/HBM3量产将直接扩大采购，并叠加2026年DRAM涨价周期。

薄膜沉积设备（PECVD/ALD/SACVD/HDPCVD）龙头，年报明确其设备是3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑，已广泛应用于国内存储芯片制造。长鑫LPDDR6先进制程及HBM3多层堆叠沉积工艺导入将带来薄膜沉积设备新增需求。

国内唯一全面掌握CMP抛光垫全流程核心技术的供应商、国产龙头，产品深度渗透国内主流晶圆厂（含DRAM存储厂）并成为部分客户第一供应商，2025年半导体业务收入占比57%。CMP抛光垫为DRAM晶圆制造核心耗材，长鑫扩产达产直接拉动消耗量。

存储半导体业务占2025年收入26%，主营高端存储芯片封装与测试（DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5、UFS、uMCP），是国内稀缺的存储封测产能。长鑫LPDDR6采用1295 Ball POP封装并放量，将直接增加高端存储封测需求，且公司受益2026 DRAM供需紧张景气。

2025年报将长鑫科技集团股份有限公司列为关联方（关联自然人担任董事的公司）；公司为全球领先封测龙头，具备2.5D/3D、XDFOI先进封装平台及高密度存储封装能力，芯片封测收入占99.6%。HBM/先进封装需求随长鑫HBM3量产放量，利好其高附加值封装业务。

国内极少数实现12英寸CMP装备规模化量产的企业，CMP设备收入占87.2%；减薄装备适配HBM、TSV、CoWoS、3D NAND等关键工艺，CMP贯穿先进封装键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程。长鑫HBM3量产所需的TSV/CMP工艺直接对应其产品线。

推出JH5520 HBM BI测试系统满足HBM高端存储测试需求，2.5D MEMS探针卡用于NOR/NAND/DRAM的CP测试；2025年半导体业务收入占比39.4%。长鑫HBM3量产将新增WIBI/KGSD等晶圆级测试环节，直接扩大其存储测试设备需求。

存储模组龙头（嵌入式存储/SSD/内存条），年报明确LPDDR5/5X已大面积量产并成为交付主力、正为LPDDR6新品开发做准备。长鑫LPDDR6量产提供国产高端DRAM颗粒供给来源，叠加2026年DRAM供需紧张涨价，直接增厚其存储产品量价弹性。

存储芯片研发封测一体化厂商，嵌入式存储收入占2025年60.9%，兼具先进封测能力，获国家大基金二期投资；年报引用TrendForce预计2026年全球DRAM市场（含HBM）同比增长144%。长鑫DRAM放量与涨价周期直接利好其存储业务量价。