新思科技宣布实现首个HBM4 IP测试芯片验证
关联股票
光大证券2026-03-05研报指出公司全球HBM前驱体市占率18%，为SK海力士独家供应商；2025年报披露半导体前驱体覆盖DRAM先进制程及AI先进封装复杂芯片组。新思HBM4 IP验证标志HBM4量产提速，公司作为HBM核心材料供应商直接受益，电子材料收入占比59%。
2025年报明确公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，并已进入SK海力士、三星、美光、台积电等全球领先半导体企业供应链。HBM4 IP验证落地推动HBM4扩产，TSV刻蚀特种气体需求随HBM产能缺口（50%-60%）同步增长，特种气体业务收入占比65.1%。
2025年报披露键合套准量测产品Propus 300/Pleione 300主要应用于HBM及芯片三维集成，实现混合键合表面活化清洗与芯片精准键合；招商证券2026-06-03研报指先进键合设备是实现HBM高密度互连的关键设备。HBM4 IP验证加速HBM4量产，直接拉动先进键合设备需求。
2025年报显示公司第一大供应商为SK海力士（采购数据存储器），电子元器件分销收入占比94.2%，代理SK海力士、联发科等一线品牌。SK海力士为全球HBM龙头，新思HBM4 IP验证推动HBM4量产放量，公司作为其存储分销平台直接受益于出货增长。
2025年报披露减薄装备适配HBM、TSV、3D IC等工艺，CMP作为先进封装（含HBM）关键工艺贯穿键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程，直接决定键合良率；公司是国内极少数实现12英寸CMP规模化量产企业。HBM4量产提速带动CMP/减薄设备需求。
2025年报半导体存储器件测试收入占比55.6%；年报指出HBM、算力芯片驱动高端存储测试需求显著提升，测试速率高速化为行业核心方向。HBM4量产带来堆叠层数增加与测试道数倍增，公司作为国产存储测试设备龙头直接受益。
2025年报披露电镀液在封装领域市占率约30%，产品覆盖HBM、3D堆叠等高端封装核心工艺（凸块制作、通孔填充、铜互连）；HBM从8层向16层演进使光刻与电镀工序超线性翻倍。HBM4 IP验证加速HBM4量产，公司先进封装材料直接受益。
2025年报披露控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》延续合作关系；海太半导体为SK海力士DRAM/HBM后工序封测基地。HBM4 IP验证落地加速HBM4量产，SK海力士扩产直接带动公司封测服务收入（半导体业务占比15.3%）。
2025年报内存接口芯片收入占比94.2%，为全球DDR5内存接口芯片与内存模组配套芯片龙头（JEDEC标准产品）。新思HBM4 IP验证标志AI服务器高带宽存储生态加速成熟，带动服务器内存整体景气，公司互连芯片需求同步受益（因果距离2-3跳）。
2025年报存储半导体业务收入占比26%（沛顿科技封测）；年报明确HBM为AI存储核心增量引擎，头部原厂将产能向HBM、DDR5高附加值产品倾斜。HBM4量产提速强化存储封测景气，公司存储封测业务向高附加值方向升级受益。
2025年报明确HBM正从HBM3E快速演进至HBM4，下一代GPU/AI加速器平台已开始导入HBM4，台积电CoWoS已支持集成12个HBM4堆栈；公司为研发封测一体化存储厂商（先进封测服务业务），概念板块含HBM，受存储高景气与HBM4放量拉动。
2025年报披露核心技术在HBM全制程检测、晶圆边缘全维度检测方向已实现商业化落地并导入头部客户，半导体业务收入占比17.8%；公司在HBM制造检测领域形成差异化优势。HBM4 IP验证加速HBM4量产，带动晶圆/存储检测设备需求。
东吴证券2026-06-15研报：HBM 3D堆叠使CP测试道数由3-4道增至15道以上，新增KGSD、TSV、CoW等环节，存储测试机需求成倍增长，公司SoC+存储测试机国内领先；2025年报测试机收入占比60.5%。HBM4量产放量驱动存储测试设备新周期。
2025年报披露间接参股远见智存（穿透持股7.17%），聚焦HBM DRAM堆叠及核心IP解决方案，HBM2e已流片量产、HBM3/3e完成设计仿真并推动流片，目标实现HBM芯片国产替代。与新思HBM4 IP验证同属HBM IP赛道国产化标的，为A股最贴近HBM IP主题的参股公司。
国内半导体IP授权龙头，2025年报知识产权授权使用费收入占比21.3%，与新思科技（Synopsys）同属IP授权赛道；平安证券2026-04-20研报显示公司量产业务新签订单同比+194%。新思HBM4 IP验证标志IP生态成熟，利好国产IP授权行业景气与国产替代。