磷化铟概念震荡拉升 有研新材涨停

公司档案明确化合物半导体材料为砷化镓晶片、磷化铟晶片；2026-04-03公告实施高品质磷化铟单晶片扩产至年产45万片(4英寸，含6000片6英寸)，总投资1.89亿元；华泰证券2026-04-25研报称2025年磷化铟产品(折合4寸)销量同比+73.77%，为中国磷化铟衬底龙头，直接受益Yole披露的2026年供需缺口超七成。

磷化铟概念当日涨停龙头、新闻直接点名标的；2025年报主营范围为锗和化合物单晶及其衍生产品、半导体材料、光电材料，红外光学/光纤材料收入占2.6%，系央企有研集团旗下化合物半导体新材料平台，处于概念核心位置。

2025年报明确磷化铟与砷化镓、氮化镓、碳化硅等并列为公司核心化合物半导体材料，外延片/芯片为主业；集成电路芯片收入占比16.2%，三安集成布局InP基高速光芯片，是磷化铟衬底主要下游消耗方，衬底放量缓解其高速光芯片原料约束。

2025年报：MO源（三甲基镓、三甲基铟等）是利用MOCVD制造砷化镓、磷化镓、磷化铟的关键原材料；公司为全球MO源领导供应商之一，MO源收入占比27.6%；子公司全椒南大生产砷烷、磷烷特气（磷烷为InP外延P源），直接受益InP扩产带动上游材料放量。

中泰证券2026-05-23研报：高纯铟是磷化铟衬底主要原料之一，公司呼伦贝尔驰宏100吨/年铟锭和高纯铟项目一期40吨/年预计2026年底建成；公司锗产量居全国同行业之首，兼具锗铟资源，受益InP衬底扩产带来的铟原料需求。

公司ESG报告/2025年报披露生产光通讯用磷化铟基半导体芯片，InP衬底为直接原材料；2025年营收6.01亿元同比+138.5%、扭亏为盈，数据中心产品收入占比65.4%，是800G/1.6T光模块用InP激光器芯片国产核心，直接消耗磷化铟衬底。

公司档案确认锡、铟资源储量均居全球第一；中金公司2026-05-01研报称其为全国最大原生铟生产基地，1Q26铟均价同比+62%、环比+69%，铟供应增速受限下价格中枢上移，直接受益磷化铟衬底扩产对高纯铟原料的需求。

方正证券2026-06-20研报：公司已成功研发可用于磷化铟、砷化镓的电阻加热高压长晶炉，为InP衬底扩产核心设备；主营晶体生长设备（单晶硅炉、SiC单晶炉），2025年报设备销售占收入86.9%，云南锗业等国产衬底扩产直接拉动其设备需求。

公司主营含DFB/EML激光器芯片等InP基光芯片（2025年报DFB激光器芯片收入占比约4%）；2025-12-23公告显示有源事业部由原中兴光电子磷化铟芯片工艺总监领衔，为光通信InP光芯片国产替代标的。

中邮证券2026-05-13研报：公司2026年计划产铟锭3吨、同比+757%，高纯战略金属镓锗铟年产能45吨，2025年建成稀散金属综合回收与高纯制备项目；主营铅锌铜采选冶综合回收稀散金属，铟为磷化铟衬底核心原料。

公司全称已变更为铟靶新材(哈尔滨)股份有限公司，2025年报资源综合回收利用收入占比96.9%，经营范围含有色金属压延加工与合金制造，为铟靶材/铟回收标的，属磷化铟上游铟原料环节；ST股需注意交易风险。

2025年报披露攻关电子级磷烷等特气技术，电子级磷烷(PH3)为磷化铟外延P源（尚处研发阶段）；公司为全球精细磷化工龙头，控股子公司兴福电子2025-01-22登陆科创板布局电子级化学品，属InP上游磷源概念，关联强度中等。

国盛证券2026-06-12研报：公司具备锡、锑、铟、锌、铅、银六种矿产，锡锑铟保有资源量广西第一，2025年报铟锭收入占比约1.1%；为磷化铟上游铟金属资源标的，受益InP衬底扩产带来的铟金属需求。

新闻点名跟涨标的；2025年报披露布局半导体晶圆与封测设备（高端切割设备国产替代），但无磷化铟直接业务披露，主要因半导体设备概念联动被归入板块，关联强度较弱。