韩国上半年风险投资达8.87万亿韩元 创历史同期新高
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控股子公司海太半导体以『全部成本+约定收益』模式直接为SK海力士提供半导体后工序服务，2025年7月完成《第四期后工序服务合同》正式签署（关联交易进展公告）。2025年报半导体业务贡献利润26.0%。韩国半导体投资创新高直接扩大SK海力士存储封测与后工序外包需求。
公司公告及年报明确：拥有SK Hynix海力士一线品牌代理资格，第一大供应商为SK海力士，主营其数据存储器分销，2025年电子元器件分销收入占94.2%、国外收入85.3%。国盛证券2026-04-24研报指企业级存储供需紧缺，公司分销与海普业务充分受益。韩国存储投资创新高直接利好其分销规模。
公司简介明确『已进入英特尔、美光科技、台积电、SK海力士、英飞凌、三星等全球领先半导体企业供应链体系』，是直接向韩系存储原厂供货的电子特气厂商。华泰证券2026-04-10研报指出公司深度布局HBM产业链，为TSV硅通孔工艺提供先进刻蚀气体，且在韩国半导体厂商供应体系中进一步巩固。
2025年报明确：三星电子、海力士、美光合计占全球DRAM市场90%以上份额，是公司内存接口芯片及模组配套芯片的主要下游客户；2022年发布全球首款CXL MXC芯片并支持三星、SK海力士推出CXL内存产品。内存接口芯片占收入94.2%、国外收入71.5%。韩国DRAM/HBM扩产直接拉动其芯片出货。
华创证券2026-04-04深度报告：公司在韩国龟尾布局生产基地，实施『近场制造+属地化服务』模式，贴近SK海力士等核心客户扩产节奏；高纯溅射靶材全球主流出货量第一，高端靶材全球市占率超25%。韩国半导体资本开支扩张（SK海力士2026年CAPEX拟超30万亿韩元）直接拉动其靶材与零部件需求。
2025年报：半导体前驱体（high-k/硅基/金属材料）广泛用于3D NAND、DRAM及逻辑芯片先进制程，公司构建中国和韩国双研发部门，子公司雅克南通前身为『爱思开希(南通)半导体材料有限公司』（SK系背景）；半导体业务2025年收入占31.4%、利润占42.1%。韩国AI/存储投资创新高带动原厂扩产，前驱体需求上行。
主营集成电路刻蚀用单晶硅材料及硅零部件（2025年收入占54.1%），海外收入23.3%。2025年报明确以HBM为代表AI算力芯片竞争下，SK海力士、三星、美光均计划2026年推出新一代HBM，带动更大尺寸（16英寸以上）硅零部件需求。韩国HBM/存储扩产是其硅零部件需求的重要边际驱动。
半导体存储模组与嵌入式存储厂商（集成电路业务占收入97.5%），上游晶圆向三星、SK海力士等原厂采购；2025年报引用TrendForce数据指SK海力士DRAM市占33.2%。韩国AI/半导体投资创新高验证存储超级周期，DRAM/NAND涨价直接抬升其产品售价与存货价值（长江证券2026-06-04预计26Q1一般型DRAM价格涨幅93%~98%）。
存储芯片占收入71.3%，主营NOR Flash与利基型DRAM。国盛证券2026-05-07研报：公司各品类存储产品处全面涨价周期，26Q1 DRAM环比翻倍以上增长，预计2026年营收189亿（+105%）。韩国半导体投资创新高确认全球存储供给紧张持续，韩系原厂产能向HBM倾斜进一步加剧利基存储供需缺口，公司同享涨价红利。