富加镓业6英寸氧化镓晶锭等径厚度逾70mm

国内碳化硅衬底绝对龙头，碳化硅衬底收入占比99.6%。新闻明确指出氧化镓电学性能可满足碳化硅行业对衬底的要求，意味着氧化镓单晶衬底可能成为碳化硅衬底的直接竞争或替代材料。公司12英寸碳化硅衬底已进入技术攻关，氧化镓技术突破将直接影响其长期技术路线与市场格局。

化合物半导体全产业链龙头，业务覆盖碳化硅衬底/外延/器件、氮化镓电力电子及射频器件。氧化镓作为新一代超宽禁带半导体材料，其技术成熟度提升将对公司在碳化硅和氮化镓领域布局的长期竞争格局产生重要影响，是技术路线演变的核心观察标的。

国内最大的碳化硅MOSFET代工厂商，2025年SiC器件全球市场份额约5%。氧化镓器件在功率半导体领域具有潜在应用，长期可能对公司基于碳化硅的代工业务构成竞争压力。新闻提及氧化镓性能满足碳化硅行业要求，预示着功率半导体材料体系可能出现新的竞争者。

国内晶体生长设备龙头，业务覆盖半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉等。氧化镓单晶同样需要专用的晶体生长设备（如VB法设备），公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，有望切入氧化镓设备市场，受益于新工艺设备的潜在需求。

国内碳化硅单晶炉主要厂商之一，产品已批量供应碳化硅衬底厂商。公司专注于晶体生长设备，技术覆盖碳化硅、半导体级单晶硅炉。氧化镓晶体生长需要专用设备，公司作为该领域技术领先的设备商，有望在未来氧化镓产业化进程中获得设备订单机会。

全球领先的半导体IDM企业，产品组合包括氮化镓（GaN）功率晶体管、碳化硅（SiC）二极管与MOSFET。氧化镓技术突破将影响第三代半导体（碳化硅、氮化镓）材料体系的竞争格局，公司作为同时布局这两种材料的重要厂商，将面临材料技术路线演变的影响。

子公司博威公司是国内规模最大的第三代半导体氮化镓（GaN）射频器件及模块研发和生产制造商，细分领域市场占有率国内第一。氧化镓作为潜在的下一代宽禁带半导体材料，其技术进展将影响以氮化镓为核心的射频器件赛道的长期发展预期。

公司化合物半导体射频芯片业务包括GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）芯片，广泛应用于通信基站、卫星通信等高端场景。氧化镓技术可能对碳化硅衬底市场产生长期影响，进而波及依赖碳化硅衬底的GaN-on-SiC产业链。

根据浙商证券2026-05-26研报，公司拟增资4900万元参股远山新材料科技，持股8.9%。远山新材料是一家具备氮化镓（GaN）外延材料与芯片制造能力的第三代半导体企业，重点布局1200V-3000V高压产品。通过参股，公司间接切入第三代半导体赛道，氧化镓技术突破将影响该赛道的竞争格局。