美光研究员警告：“内存墙”依然存在 HBM无法跟上计算速度的提升

公司公告明确指出“为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发”，并引用2026年HBM市场规模546亿美元、产能缺口50%–60%的数据，精准卡位HBM产业链关键材料环节。

2025年年报显示，公司构建的RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案已覆盖90%以上的国内封装厂，HBM3E、CoWoS-L等先进封装技术商业化直接带动其高纯电镀液、TSV/TGV添加剂需求激增。

公司CMP装备可适配HBM、CoWoS、3D IC等先进封装关键工艺，2025年年报指出其12英寸产品全面覆盖先进制程与成熟制程，并专门开发面向HBM的减薄装备。

公司拥有“高带宽存储器HBM”概念，2025年年报介绍CXL DRAM模组可缓解高性能计算的“内存墙”瓶颈，主营嵌入式存储及先进封测服务，直接受益于HBM需求增长。

2025年年报显示，公司已研发“HBM存储芯片集成化测试系统”，并规划重点布局存储（DDR、HBM等）领域测试，是国内稀缺的HBM测试服务商。

公司主营半导体存储器件测试设备，2025年年报指出全球存储厂商将更多产能投向HBM，直接利好具备高端测试能力的设备厂商，公司HBM测试设备已获头部客户订单。

公司是国内先进封装掩膜版龙头，2025年年报明确CoWoS等先进封装技术催生更多掩膜版需求，其产品已覆盖RDL、TSV等关键工艺，直接受益于HBM封装扩产。

公司临时键合、解键合设备可应用于InFO、CoWoS、HBM等2.5D/3D技术路线，2025年年报显示其后道先进封装设备已覆盖HBM等高端封装需求。

公司芯片对晶圆混合键合产品主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域，2025年年报显示其先进键合设备已实现量产，直接受益于HBM产能扩张。

2025年年报指出AI、HBM及先进封装成为推动半导体产业发展的关键变量，公司作为国内半导体测试设备龙头，其测试系统已覆盖存储芯片测试，将受益于HBM测试需求增长。

公司为半导体洁净室提供过滤设备，2025年年报提到英伟达与SK海力士开发的HBM4堆叠方案将彻底解决传统封装瓶颈，公司产品已进入SK海力士等HBM厂商供应链。

公司第二代“天琴芯”系列芯片采用存算一体设计，可突破“内存墙”瓶颈，2025年年报指出其架构具备事件驱动、稀疏计算、低功耗并行等优势，是解决内存墙问题的技术方向之一。