台积电将微通道散热技术纳入研发蓝图

公司于2026年4月1日公告，拟投资不超过6亿元在越南建设“年产3万吨液冷散热及机架母线用高精密铜排生产项目”，产品明确应用于“芯片散热、数据中心”，并指出“AI算力散热”驱动需求旺盛。作为铜加工龙头，其高精密铜排是液冷散热系统的关键导热/导电材料，直接受益于散热技术升级带来的材料需求。

公司2025年报明确指出，“2.5D/3D集成封装（包括HBM封装、CoWoS封装等形式）...推动铜互连材料需求快速增长”。作为国内领先的电镀液供应商，其产品是实现CoWoS、HBM等先进封装中铜柱、RDL等结构的关键材料。台积电CoWoS封装产能扩张与HBM整合升级，将直接带动对其高端电镀材料的需求。

公司2025年报在“先进封装领域”明确指出，可“利用碳化硅极高的热导率，将其作为大功率芯片的散热基板或封装材料，能够有效解决高性能芯片的‘热管理’难题”。作为国内碳化硅衬底龙头，其产品特性与微通道散热技术目标（提高热传效率）高度契合，是解决先进芯片热管理问题的潜在材料方案。

公司作为国内领先的独立第三方芯片测试厂商，2025年报显示其研发项目包括“HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发”。台积电计划将单一CoWoS封装整合的HBM数量增至24颗，将极大提升HBM芯片的测试复杂度与需求量，公司作为测试服务商间接受益。

公司2025年报对HBM行业进行了深度分析，指出“HBM正从HBM3E快速演进至HBM4”。台积电新闻中“HBM带宽规模则增加34倍”的预测，印证了HBM技术升级的行业趋势。作为国内存储模组厂商，其技术布局与AI存储需求发展方向一致，间接受益于产业扩张。