芯粤能第二代沟槽栅SiC MOSFET工艺平台实现规模化量产突破，订单超2000万颗

根据2025年年报，公司是中国SiC器件厂商中位居第一的企业（Yole 2025年排名），SiC MOSFET出货量稳居亚洲前列，是国内率先突破主驱用SiC MOSFET产品的头部企业。芯粤能第二代沟槽栅SiC MOSFET实现量产，将加剧国产SiC MOSFET赛道竞争，同时也验证了国产SiC器件在新能源汽车主驱等高端应用的渗透加速。

根据2025年年报，公司SiC-MOSFET已迭代至第四代，规模出货的第二代芯片所配套的电动汽车主驱模块累计出货超10万颗，并切入AI算力中心电源。芯粤能T2平台的量产突破，印证了SiC MOSFET在车规市场的商业化加速，士兰微作为国内SiC MOSFET核心厂商之一，同享行业增长红利。

根据2025年年报，公司产品覆盖SiC MOSFET、SiC二极管、SiC衬底/外延，应用于新能源汽车、光伏储能、通信基站等领域。芯粤能T2平台的量产和超2000万颗订单，显示SiC功率器件需求爆发，三安光电作为国内化合物半导体全产业链龙头，从衬底到器件均受益于行业需求扩张。

根据2025年年报，公司半导体业务产品组合包括碳化硅（SiC）二极管与MOSFET，采用IDM模式。芯粤能沟槽栅SiC MOSFET的规模化量产，将推动国产SiC器件替代进程，闻泰科技旗下安世半导体的SiC产品线也将面临更激烈的市场竞争，同时受益于SiC器件在汽车电子领域渗透率提升。

根据2025年年报，公司是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业之一，也是国内同时拥有IGBT、SGT MOSFET、SJ MOSFET、沟槽型MOSFET四大产品平台的本土企业。芯粤能第二代沟槽栅SiC MOSFET的技术突破，与新洁能在沟槽型MOSFET领域的技术布局形成呼应，两者在车规级功率器件赛道存在技术对标。

根据2025年年报，公司业务涉及化合物半导体材料碳化硅衬底，随着SiC产能快速扩张、8英寸产线建设提速，SiC衬底、外延等专用装备需求快速攀升。芯粤能T2平台获超2000万颗订单并进入大规模商业化，将直接带动SiC晶圆制造设备需求增长，公司作为国内SiC设备龙头直接受益。

根据2025年年报，公司主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，具备全尺寸碳化硅衬底产业化供应能力。芯粤能第二代SiC MOSFET实现规模化量产，将显著增加对SiC衬底的需求，天岳先进作为国内SiC衬底龙头企业，将直接受益于下游芯片厂商的产能扩张。

根据2025年年报，公司产品涵盖光伏逆变器（年度中标约18GW，国内排名行业前列）、储能变流器、新能源汽车电驱系统。芯粤能T2平台产品可覆盖新能源汽车主驱、光伏储能等核心场景，作为国内功率半导体和新能源装备龙头，中车时代电气有望成为芯粤能高性能SiC器件的重要客户或应用方。

根据2025年年报，公司主营储能系统（收入占比41.8%）和光伏逆变器等电力转换设备（收入占比34.9%），是全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商。芯粤能T2平台SiC MOSFET可覆盖光伏储能核心场景，阳光电源作为下游应用龙头，高性能SiC器件的规模化供应将提升其逆变器和储能系统效率。

根据2025年年报，公司主营业务为晶体生长设备，包括碳化硅单晶炉，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备。芯粤能T2平台的规模化量产将带动上游SiC晶圆制造设备需求，公司作为SiC长晶设备专业供应商，将受益于行业扩产。

根据2025年年报，公司产品涵盖IGBT、FRD、SiC芯片和模块，IGBT模块全球排名第五（Omdia 2023年）。芯粤能SiC MOSFET的突破将加速SiC在新能源汽车主驱的应用，斯达半导作为国内车规级功率模块龙头，其SiC模块产品也将受益于SiC器件渗透率提升。

根据2025年年报，公司是拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试全产业链能力的IDM半导体企业，布局SiC器件。芯粤能T2平台的量产突破，验证了国产SiC MOSFET的技术成熟度，华润微作为国内功率半导体IDM龙头之一，在SiC赛道的布局将获得更强行业验证。