日本氮化铝陶瓷厂商减产停供，高端粉体涨价30%，国产替代窗口打开

新闻直接点名公司具备高端粉体及全流程产能。公告显示其氮化铝粉体年化产能500吨，推出高、中端产品组合，粉体品质及产业规模国内领先；超高热导基板（>230W/m·K）已在TEC半导体制冷片领域批量供货；开发高速光模块HTCC管壳及AI芯片封装用氮化铝连接器，已进入客户验证。近期主力资金4日净流入4.4亿元，市场关注度高。

公告明确指出“氮化铝薄膜基板作为低成本非气密封装方案的关键封装材料呈现供不应求的情况”，公司电子陶瓷产品包括氮化铝陶瓷基板，广泛应用于光通信等领域。作为国内最大高端电子陶瓷外壳生产企业，日本减产停供将加剧供需紧张，直接受益。近期主力资金4日净流入3.0亿元。

公告显示精密陶瓷板块包括氧化铝、氮化硅、氮化铝等材料体系，涉及陶瓷基板产品；子公司国瓷赛创开发光模块用陶瓷基板，推进国产自主可控。日本厂商减产将加速国内光模块陶瓷基板进口替代。近期主力资金4日净流入5.2亿元。

公告显示子公司万士达是半导体热电制冷行业DBC基片的龙头企业，陶瓷覆铜基板（DBC）应用于半导体制冷基片、COB倒装陶瓷线路板等。AI光模块TEC板需求爆发将带动DBC基板需求，日本减产可能影响上游陶瓷基板供应，公司作为国内龙头有望获得订单。近期主力资金4日净流入1.6亿元。

公告显示其Micro-TEC产品采用陶瓷基板，实现从热电材料到TEC热电制冷器的全产业链设计生产。AI光模块对TEC需求增长，公司作为国内少数具备全产业链能力的厂商，有望受益于国产替代。近期主力资金4日净流入9.3亿元，市场资金关注度高。

公告显示公司是国内少数量产半导体设备用氮化铝先进陶瓷材料零部件的企业，拥有氧化铝、氧化锆、氮化铝、碳化硅等材料体系。日本减产停供可能促使半导体设备厂商转向国内供应商，公司作为头部企业有望获得订单转移。

公告显示其氮化铝衬底材料（AMC预制金锡氮化铝衬底）作为高功率激光二极管芯片散热的衬底材料，应用于光纤耦合模块、光通讯芯片封装等。日本减产可能影响高端氮化铝衬底供应，公司作为国内供应商有望受益。