三星电子计划2027年上半年开始量产HBM4E

半导体材料业务占2025年收入31.4%（中报口径半导体化学材料+光刻胶44.4%），前驱体材料供应全球头部存储原厂（三星/SK海力士），概念板块含HBM；三星HBM4E量产将直接拉动前驱体等材料采购，公司为国内对韩存储原厂供货最直接的材料商之一。

CMP设备占2025年收入87.2%；华泰证券2026-04-24研报指出，公司部分先进制程CMP装备已进入头部存储厂商HBM产线作为基线设备，减薄抛光一体机累计出货超20台获多家头部企业重复订单。HBM4E扩产直接抬升CMP/减薄设备需求，公司概念板块含HBM。

电镀液及配套试剂占2025年收入48.6%、光刻胶22.9%；银河证券2026-04-29研报指出，公司已切入存储芯片领域成为客户HBM芯片的baseline供应商，预计2026年量产，光刻材料收入同比+43.5%。HBM4E量产周期将放大其HBM封装材料放量斜率，概念板块含HBM。

环氧塑封料占2025年收入93.5%，为国内环氧塑封料龙头；2025年报明确先进封装用颗粒状环氧塑封料（GMC，适配压缩模塑工艺）为核心研发方向，是HBM/MUF堆叠封装关键使能材料，符合'一代封装一代材料'逻辑。三星HBM4E量产带动先进封装材料需求，公司概念板块含HBM。

球形硅微粉占2025年收入58.4%（利润占比74.8%），为国内功能性球形粉体龙头；'MUF封装用电子级超细高纯球形二氧化硅'入选2024年江苏省重点推广应用新技术新产品目录，是HBM塑封/底填核心填料。HBM4E扩产将直接提升球形填料用量，概念板块含HBM。

半导体专用设备占2025年收入96.6%；东吴证券2026-04-30研报指出，公司W2W混合键合设备已获重复订单并量产、新一代产品发货客户端验证，W2W熔融键合设备通过客户验证。HBM多层DRAM堆叠依赖键合工艺升级，HBM4E量产将带动3D集成设备需求，概念板块含HBM。

测试机占2025年收入60.5%，为国产测试机龙头；东吴证券2026-06-23研报指出，HBM采用多层DRAM堆叠及TSV结构，新增KGSD/TSV/CoW等测试环节，HBM推动存储测试机需求成倍增长，国内长鑫HBM扩产亦带动放量。三星HBM4E量产验证存储测试设备景气周期。

子公司联合创泰拥有SK海力士、联发科等一线品牌代理资格，电子元器件分销占2025年收入94.2%，为国内头部存储分销平台。三星指引Q4 DRAM位元增长15%-20%验证存储涨价周期延续，分销环节直接受益于量价齐升，概念板块含HBM。

存储器研发封测一体化厂商，嵌入式存储占2025年收入60.9%；其年报援引TrendForce：2026年全球DRAM市场规模（含HBM）预计同比增长144%至4043亿美元。三星Q4 DRAM位元增长15%-20%进一步确认原厂供给紧俏，模组厂量价齐升，概念板块含HBM。

存储芯片占2025年收入71.3%，为NOR Flash全球第二、利基DRAM自研龙头；2026-01-23公告向合肥芯存、西安芯存增资实施DRAM募投项目。三星DRAM位元增长强劲指引验证存储景气上行，利基DRAM价格弹性直接利好公司DRAM业务放量与调价。

半导体业务占2025年收入39.4%；华西证券2026-04-28研报指出，子公司武汉精鸿构建先进存储/SOC测试体系，已推出新品满足HBM高端测试需求，BI实现多家客户重复订单、FT/CP出货。HBM4E量产周期驱动存储测试设备需求，概念板块含HBM。

内存接口芯片占2025年收入94.2%（利润占比99.2%），为全球DDR5内存接口芯片主要供应商。三星DRAM位元增长15%-20%反映DDR5+HBM需求旺盛，服务器内存渗透提升带动接口芯片/RCD出货，公司处于存储景气传导的配套芯片环节。

存储半导体业务占2025年收入26.0%（利润占比28.9%），子公司沛顿科技是国内领先的独立存储封测厂，承接DRAM内存条及晶圆封测。三星DRAM供给紧俏、原厂扩产向HBM倾斜，利基DRAM封测订单向第三方封测外溢，公司受益存储封测景气。

存储业务占2025年收入100%，产品覆盖嵌入式存储(44.0%)、SSD、内存条等，为全球头部存储品牌商。三星Q4 DRAM位元增长指引验证存储供给紧平衡，晶圆采购成本上升但提价传导下模组厂商存货增值、毛利率弹性释放，受益存储涨价周期。

先进无机非金属粉体材料占2025年收入90.7%，电子通信功能填充材料（低α球形氧化铝等）布局半导体封装填料领域，概念板块含HBM。HBM4E多层堆叠对低α、高导热封装填料需求提升，公司粉体技术平台具备切入HBM底填/塑封材料的工艺同源性（关联强度以概念与技术储备为主）。