云南锗业：子公司与AOI签订合计90万片磷化铟衬底长期供货协议 2027年度合同金额约合13.05亿元
关联股票
子公司云南鑫耀与AOI签2027—2031年每年18万片、合计90万片4英寸N型磷化铟衬底长单，2027年度1.94亿美元（约13.05亿元），占2025年经审计营收10.66亿元的122.46%。公司磷化铟晶片现有产能15万片/年（2025年报），2026年4月投1.8856亿元扩至45万片/年，AOI年采购量约占扩产后产能40%；2025年磷化铟销量同比+73.77%。合同履行以取得两用物项出
2025年报披露其电阻加热高压长晶炉“专业用于碲锌镉、磷化铟、砷化镓等高性能半导体晶体制备”，是InP衬底扩产核心设备商。云南鑫耀2026年4月公告投资1.8856亿元新建30万片（折4英寸，含6000片6英寸）磷化铟产线，明确要“新增主要工艺设备及公辅设施”；方正证券2026-06-20研报称磷化铟是800G以上光模块及CPO必选项，公司有望承接衬底厂扩产设备需求。
中泰证券2026-05-23研报指出“高纯铟是磷化铟衬底的主要原料之一”，公司呼伦贝尔驰宏100吨/年铟锭和高纯铟项目分两期建设，一期40吨预计2026年底前建成；2025年报披露“加快布局高纯铟、高纯锑等高纯材料制备研究”，国家重点研发计划“稀散金属镓-锗-铟高效富集及分离纯化”已通过验收。同为云南锗铟产业链央企，铟量价与InP需求共振。
2025年报披露公司国内原生铟占比28.78%、全球占比11.03%，2025年生产铟119吨，“精铟、原生铟市场占有率位居行业前列”，并明确铟主要用途包括“半导体化合物”；年报同时载明2025年2月对铟相关物项实施出口管制。中金公司2026-05-01研报指1Q26国内铟均价同比+62%，InP衬底90万片长单进一步强化原生铟需求与稀缺性。
2025年年报摘要（2026-03-25）披露公司以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为光芯片核心材料，采用IDM模式自主掌握芯片设计、晶圆外延与制造；银河证券2026-05-09指其70mW CW大规模供货、100G EML小批量量产，承接海外EML供需缺口。AOI锁定国内InP衬底90万片，既验证InP光芯片需求刚性，也意味着国内衬底供给更紧、原料成本上行，双向传导。
2026-02-28投资者关系活动记录表披露：截至2024年12月31日铟金属保有资源量3332.25金属吨，2025年1-9月铟锭产量21.21吨，并专门回应“铟价近期上涨对业绩影响”；铜坑矿主含锡、锌、铅、锑、铟。国盛证券2026-06-12研报称其形成“锡锑双核、铅锌支撑、铟银铜伴生增值”资源结构，InP衬底放量提升铟的战略金属属性。
中邮证券2026-05-13研报：公司稀散金属综合回收与高纯制备项目2023年开工、2025年试生产，2026年计划生产铟锭3吨、同比大增757.14%，高纯战略金属镓锗铟年产能45吨。铟是磷化铟衬底主要原料，云南锗业2027年13.05亿元InP长单落地，提升高纯铟需求与国产原料配套预期。
2026-03-13公告通过全资子公司江西兆驰半导体建设“年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目（一期）”，建设砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线；25G DFB及以下已完成研发试产，400G/800G/1.6T用大功率CW DFB和50G EML在研。InP衬底为其必需外购材料，东吴证券2026-06-09引Yole称2026年InP衬底供需缺口超70%，供给端约束直接传导。
2025年报披露公司构建了砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、硅光五大材料体系，具备各类衬底半导体激光芯片制造能力，并以权益法参股苏州星沅光电（持股20%），后者主营“高端磷化铟激光器芯片、器件及相关模块、子系统”。InP衬底紧缺与价格上行直接影响其芯片成本，同时AOI大单验证InP光芯片景气度。
2025年年度报告摘要将磷化铟与蓝宝石、砷化镓、氮化镓、碳化硅、氮化铝并列为公司核心主业的化合物半导体材料，光芯片产品涵盖DFB、EML等激光器芯片与PD/APD探测器。作为国内化合物半导体IDM龙头之一，是InP衬底的重要需求方，衬底国产化提速（云南锗业扩至45万片/年）利好其上游供应安全。
国金证券2026-04-30研报指公司已形成从芯片（覆盖磷化铟、砷化镓、硅光三大平台）到器件、模块、子系统的全链条量产能力，为国内唯一三平台全覆盖企业；2026Q1光模块业务盈利同比增约120%，800G以上光模块销售额同比+13974%、数据中心占比60.5%。InP衬底供给趋紧影响其光芯片自供成本，AOI长单则验证高速光模块需求持续。
开源证券2026-04-30、中原证券2026-04-27研报：公司收购索尔思光电后形成“光芯片+光模块”垂直一体化，依托磷化铟衬底、外延材料至光芯片的全流程体系实现100G/200G光芯片量产及CW Laser规模交付，800G/1.6T模块批量交付。作为InP衬底需求方，衬底国产化进度与全球缺口直接影响其光芯片产能爬坡与成本。
2025年年度报告摘要披露当前光调制核心技术聚焦硅光（SiPh）、磷化铟（InP）和铌酸锂三大材料平台，超高速光通信调制器芯片与模块是长途相干传输和超高速数据中心核心器件，并引LightCounting预测2029年全球光模块市场达373亿美元。InP衬底供给紧张对其InP平台器件成本构成两跳传导，关联强度弱于光芯片IDM厂商。