三星电子1c DRAM良率突破80%，HBM4良率接近60%
三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，较2025年第四季度的60-70%显著提升，预计5月份左右有望达到90%。同时，基于1c DRAM的HBM4（高带宽内存第四代）良率也提高至接近60%，去年第四季度约为50%。这标志着三星在高端存储芯片制造领域取得重大突破，将缓解AI服务器内存供应瓶颈。
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