韩国媒体报道高带宽闪存（HBF）商用进程加快，预计2-3年后将搭载于英伟达GPU
韩国媒体报道，被称为“NAND闪存版HBM”的高带宽闪存（HBF）有望提前商用，以解决基于DRAM的HBM在应对AI激增数据容量时的极限问题。三星电子、SK海力士等厂商正快速推进HBF研发，预计2028年左右将应用于英伟达、AMD等GPU产品。HBF带宽达1638GB/s以上，容量达512GB，远超HBM4。韩国科学技术院教授预测，2-3年后HBF将频繁出现，2038年其市场规模或超越HBM。
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