SpaceX提议投入550亿美元在得州启动Terafab项目
【SpaceX提议投入550亿美元在得州启动Terafab项目】财联社5月6日电，埃隆·马斯克旗下的SpaceX公司提议斥资550亿美元，在得克萨斯州启动一座名为Terafab的新半导体生产设施的建设。根据格兰姆斯县官网发布的一份公告，如果该项目的后续阶段得以完成，预计总投资额可能升至1190亿美元。该工厂的目标是生产2纳米芯片，并每年支持1太瓦的计算能力。马斯克表示，该项目对于满足其各项计划所需的芯片数量至关重要。
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中
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国产等离子体刻蚀设备龙头，2025年报明确提及'国际上先进芯片制程从3纳米阶段向更先进工艺发展，刻蚀设备重要性进一步提升'。SpaceX 2nm Terafab项目落地将加速全球先进制程设备需求，中微公司作为国内唯一能进入台积电/三星刻蚀供应链的厂商，直接受益于国产替代对标逻辑。
神
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大直径硅材料（14-22英寸）龙头，2025年报明确写'台积电预计2026年开始大规模生产2nm制程产品，1.4nm预计2027年量产'，公司产品'可满足7nm及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求'。所有先进制程晶圆厂刻蚀环节均需其大直径硅材料，直接受益于Terafab项目对刻蚀设备上游材料的需求拉动。
盛
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半导体清洗/电镀/先进封装湿法设备龙头，2025年报显示营收中半导体设备占95.8%。公告提到公司开发的PECVD薄膜沉积设备、晶圆级先进封装电镀设备，均为2nm先进制程和HBM封装所必需。盛美已进入全球龙头晶圆厂供应链，与中微并列国产设备替代核心标的。
鼎
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2026年3月公告'年产300吨KrF/ArF光刻胶产业化项目建成投产'，是国内首条全流程高端晶圆光刻胶量产线。公告指出已布局超30款高端晶圆光刻胶，覆盖浸没式ArF与KrF，'多款产品已实现稳定批量供应'。2nm制程需大量高端光刻胶，鼎龙为国产替代核心供应商标的。
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国内ALD薄膜沉积设备龙头，2025年报提到先进封装领域设备已在客户端验证，'采用独特低温控制技术满足先进封装低热预算、厚膜沉积需求'。半导体类设备收入占比33.5%，是2nm制程薄膜沉积环节的国产替代稀缺标的。
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2025年报明确提及'2.5D/3D封装将远高于行业均值复合增速快速放量，成为AI服务器、HBM及高性能计算需求外溢的主要载体'，预计2025年全球2.5D/3D先进封装市场规模约160亿美元。2nm芯片量产需要先进封装协同，晶方科技作为国内TSV/3D封装龙头直接受益。
华
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2025年报指出'2.5D/3D、Chiplet等先进封装技术成为延续摩尔定律的最佳选择之一'，公司在低CTE、高导热、颗粒状（GMC）等前沿封装材料领域实现规模化落地。2nm及以下制程需要先进封装材料支撑，华海诚科为国产EMC/GMC封装材料龙头。
佰
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2025年报显示公司掌握2.5D、Chiplet、RDL、Fanout等多种先进封装技术，聚焦FOMS系列和CMC系列两大产品线。公告提到HBM已成为AI计算芯片标配，而Terafab项目每年支持1太瓦计算能力，将对HBM和先进存储封装产生巨额需求。
德
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2025年报显示'4nm制程配套先进封装产品实现规模化量产，2.5D/3D、Chiplet等先进封装技术完成产业化落地'，产品覆盖TSV材料、ABF载板、高导热界面材料等。公司高端封装材料已进入国产供应链，2nm制程推广将拉动其先进封装材料需求。
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国产GPU/AI芯片龙头，2025年12月公告边端侧AI SoC芯片CH37系列研发突破，明确'以GPU+边端侧AI SoC芯片为核心产品矩阵，提升智能算力领域核心竞争力'。Terafab项目目标为每年支持1太瓦计算能力，对标国产AI算力芯片自主可控需求，景嘉微是A股最纯的正国产GPU标的。
龙
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2026年3月定增预案披露OMOG掩模技术，使用MoSi遮光材料可在浸没式光刻机光源下实现更精细曝光分辨率。2nm制程需要使用最先进的掩模版（光罩）技术，龙图光罩是国内半导体掩模版龙头，直接受益于先进制程对高端掩模版的需求拉动。
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2025年报显示公司直写光刻设备可应用于掩模版制造，产品线包括MLC系列用于IC芯片及掩模版光刻加工。2nm制程需要极高精度的掩模版制造设备，芯碁微装是国内直写光刻设备龙头，为掩模版生产提供关键设备。
华
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2025年报显示公司已有57款电子特种气体产品实现进口替代，全面覆盖电子特气核心品类，包括高纯四氟化碳、高纯六氟乙烷、稀混光刻气、高纯三氟甲烷等。2nm制程需要大量高纯电子气体用于刻蚀、薄膜沉积等环节，华特气体为A股电子特气品类最全的龙头。
同
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2026年1月定增可行性报告明确提及'推进液体冷却等高效先进热管理技术的研发应用'，指出芯片散热成为瓶颈。Terafab项目支持1太瓦计算能力，高功率密度芯片需要液冷散热，同飞股份是A股液冷温控设备核心标的。
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2026年3月公告扩建4500吨/年电子级三氟化氮项目，投资6.84亿元。三氟化氮是半导体刻蚀和清洗环节的关键特种气体，2nm制程对气体纯度要求更高，和远气体扩张产能直指高端电子特气国产替代市场。
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2025年12月公告投资建设年产3383吨高纯电子气体项目，包含51种电子气体产品。公司是高纯电子气体国家队，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积等环节所需多种特种气体，受益于先进制程对电子气体量和质的双重拉动。
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2026年4月可转债募书明确提及'单芯片TDP提升，液冷将替代风冷成为AI主流散热方式'，公司掌握元件级液冷散热、精确温控、门框式液体均匀分配等先进技术，可将数据中心能耗降低40%以上。Terafab千万亿级算力需求将带来巨量液冷散热配套需求。
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2025年报明确'从冷板式液冷和浸没式液冷两大方向布局'，通过并购苏州大图热控补足冷板模组、参股芯寒科技掌握双相浸没液冷技术，构建完整液冷产业链。Terafab项目的高功率密度芯片场景对液冷方案需求极大，东阳光为A股液冷全产业链布局最全面的公司。
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2025年报显示公司产品包括超纯氨、高纯氧化亚氮、电子级正硅酸乙酯等电子级超高纯气体，'品质和技术已达到替代进口的水平'，满足国内半导体产业使用需求。为2nm制程国产化提供电子大宗气体和特种气体保障。