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韩国存储股狂飙:SK海力士涨超8% 三星电子市值站上1.22万亿美元

【韩国存储股狂飙:SK海力士涨超8% 三星电子市值站上1.22万亿美元】财联社5月11日电,SK海力士股价上涨逾8%,创下历史新高,总市值达7650亿美元。三星电子股价上涨超5%,刷新历史新高,总市值达1.22万亿美元。AI服务器需求爆发推动 HBM(高带宽内存) 及大容量SSD供不应求,驱动行业进入上升周期。近期全球存储板块表现强势,Micron Technology、SK hynix等龙头受AI服务器拉动明显上涨。

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国内AI存储芯片龙头,嵌入式存储收入占比60.9%、先进封测1.5%。2025年报明确论述HBM3E需求旺盛,掌握2.5D/Chiplet/RDL等HBM相关先进封装技术,直接受益于SK海力士/三星引领的存储上升周期。
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拥有SK海力士(及MTK)授权代理资格的核心分销商,电子元器件分销收入占比94.2%;子公司联合创泰系SK海力士授权分销商。SK海力士股价创新高、HBM供不应求直接推升分销业务收入和利润率。
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存储芯片收入占比61.4%(通过子公司北京矽成/ISSI主营DRAM)。2025年报明确指出HBM产能扩张挤压传统DRAM产能,导致DDR4/LPDDR4严重缺货和涨价潮,直接受益于存储超级周期溢出效应。
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国内封测龙头,年报明确披露通过TSV与硅中介层技术实现HBM与GPU高密度集成;拥有2.5D异构集成、高密度扇出封装等先进封装技术,直接受益于HBM产能扩张带动的封测需求爆发。
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存储芯片收入占比71.3%,NOR Flash全球市占率第二、累计出货超200亿颗;产品线涵盖NOR Flash、SLC NAND和利基型DRAM。三星/SK海力士全力转产HBM致传统存储产能收缩,公司直接承接转移订单。
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年报明确公告深度布局HBM产业链、为TSV工艺提供先进刻蚀气体,高纯三氟甲烷等电子特气是HBM制造刚性耗材;已进入SK海力士、三星、美光等全球领先半导体企业供应链体系。
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国内半导体存储品牌龙头,产品线覆盖嵌入式存储44%、SSD 24.5%、内存条9.7%;2025年报指出AI服务器对HBM和大容量SSD需求激增,直接受益于存储行业上升周期。
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国内封测三强之一,掌握TSV、Bumping、Fan-Out、2.5D/3D等先进封装技术;年报显示已完成ePoP/PoPt高密度存储器封装开发,2.5D封装产线通线,HBM存储器封装是核心增长方向。
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国内闪存主控芯片+存储模组一体化厂商,SSD收入42.5%、嵌入式存储34%、内存条9.7%;拥有自主主控芯片与固件方案技术平台,NAND Flash产品矩阵完善,受益于存储供不应求大周期。
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晶圆级TSV封装技术引领者,年报明确受益于3D堆叠技术驱动的2.5D/3D封装快速发展,TSV是HBM和AI芯片封装的基石工艺;持续关注HBM内存市场对TSV技术的需求,直接受益于HBM产能扩张。
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国内CMP设备龙头,第1000台CMP出机公告明确紧跟HBM、CoWoS等先进封装技术发展趋势,CMP是HBM制造实现纳米级平面度的核心工艺设备,直接受益于HBM产能扩张带来的设备需求。
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数据存储主控芯片收入占比87.6%,是国内SSD主控芯片核心供应商;主控芯片系固态硬盘的"大脑",NAND Flash扩产带动SSD出货增长,主控芯片需求量同步提升。
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独立第三方芯片测试龙头,公告披露正研发"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"项目,已拥有NAND Flash芯片测试方案。HBM产能扩张带来大量存储芯片测试需求。
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A股"存储第一股",产品覆盖SSD固态硬盘、DRAM内存条和嵌入式存储;年报引用CFM数据预测2026年全球存储市场规模达2298亿美元(+37.62%),AI服务器带动NAND/DRAM需求增长超20%。
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高端电子封装材料龙头,集成电路封装材料收入占比16.2%;年报明确受益于HBM/CoWoS先进封装需求爆发,产品覆盖芯片级封装全流程关键材料(底部填充胶、导热界面材料等)。
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集成电路材料收入占比76.3%,公告显示已量产适用于TSV工艺的铜互连电镀添加剂、深宽比达20:1;TSV是HBM垂直堆叠核心工艺,电镀液为HBM制造关键耗材。
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已更名为诚邦智芯,存储半导体业务收入占比67.3%;产品包括固态硬盘、移动存储、嵌入式存储,三星/SK海力士存储涨价传导至模组环节,公司存储产品销售直接受益价格上行。