三星电子会长公开道歉
【三星电子会长公开道歉】今天（5月16日），三星电子会长李在镕就公司“内部问题”公开道歉。目前，三星电子与公司工会之间劳资纠纷持续，工会计划于5月21日启动的18天罢工计划已有超过4万名员工登记。李在镕呼吁工会与公司团结一致，朝同一个方向前进。三星电子劳资双方自去年12月起开展谈判，但由于分歧一直未能缩小，谈判于今年3月破裂。此后，在调解下，劳资双方本月11日至13日进行了马拉松式谈判，但最终未能达成协议。据报道，若进行罢工可能会造成40万亿韩元、约合1824亿元人民币的损失，并殃及半导体产业，政府可能考虑行使紧急调整权。
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佰
92%
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国内存储模组龙头，嵌入式存储（收入占60.9%）和PC存储（32.7%）为核心。2026年1-2月营收同比+340%~395%，净利润同比+921%~1086%，公告明确归因于'DRAM/NAND价格持续上涨，行业供不应求'。三星占全球DRAM~40%、NAND~30%，4万员工罢工将加剧供给短缺，公司作为涨价弹性最大的存储模组厂商直接受益。近5日主力净流出10.4亿元，短期资金面承压。
江
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全球领先的半导体存储品牌企业，嵌入式存储（44%）、固态硬盘（24.5%）、移动存储（21.5%）覆盖全品类。三星罢工导致DRAM/NAND供给收缩，公司作为国内存储品牌龙头，拥有Lexar等知名品牌，存储涨价直接提升毛利率和利润弹性。公告指出'AI服务器DRAM需求是普通服务器8倍，NAND是3倍'。近5日主力净流出17.7亿元，短期资金面承压。
北
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存储芯片（DRAM为主）收入占61.4%，收购ISSI后拥有全球车规级DRAM领先地位。年报明确指出：'三星、美光、海力士将产能转向HBM，传统DRAM产能受挤压，引发DDR4/LPDDR4缺货和涨价潮'。三星罢工将加剧传统DRAM供给紧张，公司利基型DRAM产品直接受益于涨价趋势。近5日主力净流出12.7亿元。
兆
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国内存储芯片设计龙头，存储芯片收入占71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二。产品涵盖NOR Flash、SLC NAND Flash和利基型DRAM。三星罢工导致存储全品类供给收缩，NOR Flash及利基型DRAM价格有望跟随上涨。公司在年报中指出'存储芯片需求升温、价格上涨成为行业增长主要驱动力'。近5日主力净流出9.9亿元。
朗
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闪存盘发明者，闪存应用产品收入占70.9%，闪存控制芯片及其他占27.2%。年报明确记载：'原厂面向所有应用市场开展大范围涨价，合约价涨幅普遍超过30%，个别高达70%'。三星罢工将进一步推升NAND/DRAM合约价，公司SSD、内存条等产品直接受益于存储涨价周期。
德
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主营闪存主控芯片设计及存储模组，100%收入来自存储业务。固态硬盘（42.5%）、嵌入式存储（34%）、移动存储（13.7%）为三大产品线。作为自研主控芯片的存储模组厂商，存储涨价周期中具备更高的毛利率弹性，三星罢工引发的供给收缩将直接利好公司产品销售均价。
香
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拥有SK海力士（SK Hynix）、MTK联发科等一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占94.2%。三星罢工导致全球存储供给缺口，SK海力士作为最大竞争对手有望承接转单并提价，公司作为海力士授权分销商将直接受益于海力士出货量增加和价格上行。概念板块含'高带宽存储器HBM'。近5日主力净流出7.8亿元。
东
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国内少数能同时提供NAND Flash（收入占65.2%）、NOR Flash、DRAM完整解决方案的芯片设计公司。1xnm闪存已量产，车规产品在多车型规模量产。三星罢工加速下游客户寻找国产替代供应商，公司作为国产存储芯片设计代表，NAND产品导入进程有望加快。
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半导体存储器收入占89.8%，产品涵盖DRAM（DDR3/4/5、LPDDR4X）和NAND Flash（eMMC、UFS等）。子公司大为创芯已采用长江存储NAND方案和长鑫存储DRAM方案。三星罢工推动存储涨价，公司作为存储模组厂商直接受益于价格上涨，同时国产替代方案导入加速。
通
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国内封测龙头（营收97.6%来自集成电路封测），公告明确'加快建设和提升面向存储芯片的本土封测产能与技术，是保障国产存储芯片大规模导入的关键一环'。三星罢工加速国产存储芯片扩产和替代，存储芯片封测需求随之增加，公司作为国内封测龙头有望受益于这一产业趋势。