三星HBM3E和HBM4 DRAM良率提高
内存
高带宽存储器HBM
【三星HBM3E和HBM4 DRAM良率提高】据媒体援引内部消息人士透露，三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代（1b）DRAM的良率提高到92%（基于冷态测试），并将安装在HBM4上的第六代（1c）DRAM的良率提高到75%以上。
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华
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直接向三星电子、SK海力士供应高纯电子特气（三氟甲烷、乙硅烷等）用于HBM及DRAM制程，是HBM高带宽内存的核心刚需耗材。2025年报明确将HBM列为前沿应用领域，对国内8寸以上晶圆厂覆盖率超90%，已进入三星全球供应链体系。近5日主力资金净流入1.19亿元，资金面强劲。
澜
85%
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全球领先的内存接口芯片（RCD/DB、MRCD/MDB、CKD）设计商，收入94.2%来自内存接口芯片。HBM及DDR5服务器内存需求爆发直接拉动内存模组出货量，作为CPU存取内存数据的必由通路核心芯片供应商，HBM产能扩张将带来配套服务器内存接口芯片需求同步增长。
佰
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A股HBM概念核心标的，科创板50成分股。2025年报整段讨论HBM3E/HBM4技术演进，明确指出HBM市场规模2025年达307.5亿美元（同比增100%+），并分析三星、SK海力士、美光竞争格局。收入97.5%来自集成电路存储，获大基金二期战略投资，研发封测一体化。
精
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收入55.6%来自半导体存储器件测试设备，HBM概念股。2025年报明确描述HBM、算力芯片推动高端测试需求激增，拥有DRAM FT测试机等核心产品。三星HBM良率提升→HBM产能扩张→存储测试设备需求增加，公司直接受益于HBM产业链扩产。
拓
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国内薄膜沉积设备龙头，2025年报明确将高带宽存储器（HBM）列为薄膜沉积设备核心应用领域，指出沉积设备是HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑。HBM概念板块标的，收入96.6%来自半导体专用设备，国产量产替代加速中。近5日资金面中性，未充分定价。
华
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HBM概念核心标的，主营环氧塑封料（收入93.5%）用于半导体先进封装。'一代封装，一代材料'——HBM基于3D堆叠TSV工艺对环氧塑封料性能要求极高，公司是国产替代核心受益方。三星HBM放量将拉动先进封装材料整体需求。
利
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正在研发HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发，国内独立第三方芯片测试龙头。公司公告显示已布局HBM、Nor/Nand Flash、DDR等存储芯片测试，三星HBM良率提升与扩产将带动存储芯片测试需求增长。
德
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2025年报明确讨论HBM/CoWoS先进封装材料需求爆发，产品覆盖晶圆加工到芯片级封装全流程（固晶材料、底部填充胶、导热界面材料）。'一代芯片，一代材料'协同演进，HBM堆叠层数增加对封装材料要求更高，直接受益HBM产业链扩产。
盛
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HBM概念股，拥有三维堆叠电镀设备Ultra ECP 3d专用于填充TSV硅通孔和2.5D转接板。TSV是HBM堆叠的核心工艺，公司电镀设备为高深宽比铜应用提供无孔洞镀铜方案，直接服务HBM制造链。收入半导体设备占比95.8%。
华
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国内CMP化学机械抛光设备龙头，HBM概念股。2025年12月公告明确跟踪HBM/CoWoS先进封装技术演进趋势推进CMP设备拓展。CMP是HBM晶圆堆叠和硅中介层平坦化的关键工艺，HBM产能扩张直接拉动CMP设备需求。
通
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国内先进封装龙头，拥有TSV硅通孔互连结构形成方法等核心专利，收入97.6%来自集成电路封装测试。HBM通过TSV技术实现多颗DRAM芯片垂直堆叠，公司先进封装能力直接对接HBM封测需求。大基金二期为公司重要股东。
中
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HBM概念股，等离子体刻蚀设备龙头。公司TSV深硅刻蚀设备（用于3D IC和HBM制造）在公告中被明确提及为核心工艺装备。收入100%来自半导体设备，HBM三维堆叠结构对高深宽比刻蚀需求巨大，公司直接受益HBM产能扩张。
雅
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HBM概念股，半导体材料收入占比31.4%。公司通过并购切入半导体封装材料、电子特气、IC材料领域，产品覆盖HBM制造所需前驱体、光刻胶等关键材料。大基金概念标的，是HBM国产材料生态的重要参与者。
北
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收入61.4%来自存储芯片（DRAM为主），2025年报详细分析三星/海力士/美光将产能转向HBM导致DDR4、LPDDR4等传统DRAM产能大幅挤压和涨价，公司利基DRAM产品直接受益于这一结构性供给收紧。
兆
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收入71.3%来自存储芯片（NOR Flash及利基型DRAM）。2025年报指出AI拉动HBM和DDR5需求激增，国际厂商向HBM迁移产能改善利基DRAM竞争格局，公司DRAM产品价格受益上涨。HBM产能扩张对利基存储市场构成供给侧利好。
江
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国内存储品牌龙头，产品涵盖嵌入式存储、固态硬盘、内存条。增发公告中整段讨论HBM技术和TSV工艺原理，HBM生态繁荣带动整体存储市场需求，公司作为国内最大独立存储器品牌间接受益。
德
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存储模组及主控芯片设计企业，产品包括DRAM内存条（收入9.7%）、固态硬盘、嵌入式存储等。增发公告引用Gartner数据讨论HBM和DRAM市场增长，HBM带动高端存储需求上行，公司作为存储模组厂商受益于行业景气度提升。