新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍
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【新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍】财联社5月22日电，美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能（AI）任务，又能承受太空中的极端辐射，其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。相关研究论文已发表于最新一期《纳米快报》杂志。新型NAND闪存利用了与硅工艺兼容的氧化铪材料的铁电性，即材料在一定温度范围内会自发产生极化，且极化方向可在外部电场作用下翻转。这一特性使铁电材料在信息存储、传感、人工智能及新一代低功耗芯片等领域颇具应用潜力。测试结果显示，这款铁电闪存可承受高达100万拉德（辐射吸收剂量）的辐射，相当于1亿次X射线照射，辐射耐受性是传统存储器的30倍。 (科技日报)
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三
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公司2025年7月公告投资锆铪分离项目，明确生产"氧化铪"用于"半导体前驱体材料"，解决国家卡脖子问题。新闻中铁电NAND闪存核心材料正是氧化铪(HfO₂)的铁电性。公司是A股唯一直接公告提及氧化铪用于半导体前驱体的上市公司。近5日主力净流入8608.85万元，资金面偏强。
航
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公司经营范围明确包含"抗辐照器件"，是中国航天科工集团旗下核心元器件供应商。新型NAND闪存核心优势正是太空抗辐射（抗辐射达传统30倍/可承受100万拉德），与公司抗辐照器件产品线直接对应。2025年营收58.20亿元，产品配套航天、航空等领域。近5日主力净流入1.1亿元。
东
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公司2025年11月公告投资7.37亿元建设年产1.2万吨锆铪分离高纯氧化物项目。铪是制备氧化铪的核心原料，而氧化铪正是新闻中铁电NAND闪存利用铁电性的关键材料。锆铪分离后可获得高纯氧化铪，直接对接半导体新型存储材料需求。
复
72%
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公司非挥发性存储器收入占比26.2%（EEPROM/Flash），且拥有"太空算力"概念标签。新型NAND闪存兼具AI处理与太空抗辐射能力，复旦微电是国内同时布局非挥发存储器和航天级芯片的稀缺标的。FPGA芯片（收入35.7%）也可与新型存储协同。
兆
67%
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国内存储芯片龙头，SPI NOR Flash全球市占率第二，存储芯片收入占71.3%。NOR Flash/NAND Flash核心产品线覆盖代码型和数据型存储。新型NAND闪存技术突破将强化存储赛道国产替代逻辑，公司作为A股存储芯片市值最大的标的弹性最大。
北
65%
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存储芯片收入占比高达61.4%（SRAM/DRAM等），通过收购北京矽成形成存储芯片完整产品线。新型NAND闪存的技术路线突破对整个存储芯片赛道形成估值重塑效应，公司是国内存储芯片设计龙头企业之一，直接受益于行业关注度提升。
东
62%
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国内少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案的公司，NAND系列产品收入占65.2%。新型NAND闪存技术直接对标公司核心产品线NAND Flash，技术突破将强化存储芯片国产替代逻辑，利好国内NAND产业链公司。
上
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公司主要产品包含"非挥发存储器"，是中国电子旗下集成电路设计企业。新型NAND闪存属于非挥发存储技术路线（断电后数据不丢失），与公司存储器产品线技术同源。非挥发存储器是公司重点产品方向之一，技术突破将提振板块关注度。
佰
58%
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公司主要从事NAND Flash存储模组研发封测，嵌入式存储收入占60.9%，具备晶圆级先进封测能力。新型NAND闪存从实验室到产业化离不开封测环节，公司作为国内存储封测龙头，是产业链传导的关键一环。
江
58%
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公司主要从事Flash及DRAM存储器的研发销售，NAND Flash产品线覆盖嵌入式存储、固态硬盘等，海外收入占比66.8%。新型NAND闪存技术突破将推动整个Flash存储器行业升级，公司作为国内存储品牌龙头有望受益于行业关注度提升。
紫
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公司集成电路业务收入52.3%，包含存储器芯片产品线。作为国内综合性IC设计龙头，特种集成电路广泛应用于航天军工领域，与新型NAND闪存的太空抗辐射应用场景高度重叠，下游需求场景协同效应明显。
航
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公司航天配套产品收入占66.7%，是中国航天科技集团核心电子配套平台。新型NAND闪存专为太空极端辐射环境设计，可承受100万拉德辐射，公司作为国内航天电子配套龙头，是这类抗辐射存储芯片在航天系统中的直接应用方。