韩国据悉将把芯片业所产超额税收部分拨入新的主权财富基金
半导体
【韩国据悉将把芯片业所产超额税收部分拨入新的主权财富基金】财联社5月22日电，据报道，韩国政府计划将芯片产业超级热潮带来的超额税收收入的一部分拨给将于下半年推出的所谓“韩国式主权财富基金”。 原计划是通过政府持有的国有企业股权，及已收到的用于缴纳遗产税的股票，筹集20万亿韩元的初始资本。政府现决定在此基础上增加现金出资，将该基金的种子资金规模提高至接近30万亿韩元。预算部在一份声明中表示，有关该主权财富基金的具体资金来源或投资目标的具体计划尚未敲定。
相关股票
13 只 · 按关联度排序
太
92%
加载行情
控股海太半导体（55%持股）与SK海力士签署第四期后工序服务合同至2030年，以"全部成本+约定收益"模式服务。2022-2024年SK海力士占海太半导体后工序收入83.67%/83.46%/82.74%，系最核心客户。
香
88%
加载行情
子公司联合创泰是SK海力士（SK Hynix）官方授权代理商，拥有SK Hynix、MTK联发科等一线品牌代理资格。分销业务收入占比94.2%，SK Hynix存储芯片为分销核心品类，韩国芯片繁荣直接提振出货规模。
华
86%
加载行情
已进入SK海力士、三星、美光、台积电等全球领先半导体企业供应链。2025年报披露为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发。三星/SK海力士将70%新增产能投向HBM，特气作为刚需耗材量价齐升。
佰
83%
加载行情
与三星、SK海力士、美光等存储晶圆原厂签订长期协议，直接采购DRAM及NAND Flash晶圆。全球DRAM市场三星+SK海力士份额合计约66%，韩国芯片景气上行直接影响其晶圆供应稳定性与采购成本。
神
82%
加载行情
硅零部件产品已直接进入SK海力士（大连）主流存储芯片制造厂；大直径硅材料经由日韩厂商最终销售至三星和台积电。2025年报详细分析SK海力士HBM爆发增长及30万亿韩元资本支出计划。
中
80%
加载行情
等离子体刻蚀设备龙头，HBM TSV工艺及3D NAND高层数堆叠均需刻蚀设备。SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上，直接拉动刻蚀设备需求，公司系HBM概念核心受益设备商。
精
78%
加载行情
半导体存储器件测试设备业务占比55.6%，产品覆盖DRAM FT测试机及HBM相关测试环节。2025年报指出AI对HBM需求快速提升，SK海力士等扩产直接拉动前后道检测设备需求。
上
74%
加载行情
为3D NAND/DRAM存储芯片制造提供蚀刻液系列产品（氮化硅/钛蚀刻），存储芯片蚀刻技术国际领先。2025年报指明针对3D NAND、DRAM工艺的蚀刻化学品重点布局，韩国存储产业扩张带动配套材料需求。
兆
73%
加载行情
国内存储芯片龙头，存储芯片收入占比71.3%（NOR Flash全球第二、SLC NAND及利基型DRAM布局完整）。韩国存储产业景气验证全球超级周期，三星/SK海力士创纪录营收预示行业量价齐升。
利
71%
加载行情
正研发"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"项目，独立第三方芯片测试龙头，已覆盖存储（NOR/NAND Flash、DDR、HBM等）芯片测试。韩国存储巨头扩产带来全球封测需求增量。
东
71%
加载行情
大陆少数同时提供NAND Flash（SLC）、NOR Flash、DRAM完整存储芯片解决方案的公司。1xnm闪存量产、车规产品批量出货。韩国存储大厂资本开支扩张验证行业高景气，国产替代加速。
江
70%
加载行情
全球存储品牌企业，产品覆盖嵌入式存储（44%）、固态硬盘（24.5%）、移动存储（21.5%），海外收入占比66.8%。韩国芯片税收激增验证存储超级周期，公司全球化布局充分受益。