SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”
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【SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”】SK海力士26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算（HPC）、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求，进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。
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太
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控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》(2025-2030年)，以"全部成本+约定收益"模式直接向SK海力士提供半导体后工序服务。SK海力士iHBM技术将HBM推向更高集成度，对应封装后工序需求增长，太极实业作为直接供应商受益确定性最强。
通
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公告明确披露公司通过硅通孔(TSV)与硅中介层技术实现HBM封装，拥有2.5D异构集成等先进封装能力。iHBM技术将散热元件集成至HBM封装内，对封装工艺提出更高要求，通富微电作为国内HBM先进封装龙头直接受益。近5日主力资金净流入约3亿元，市场关注度显著。
澜
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内存接口芯片收入占比94.2%，公告披露三星电子、SK海力士及美光科技是其主要下游客户(全球DRAM市场90%份额)。iHBM技术推动HBM5等产品渗透率提升，内存接口芯片作为DDR5/HBM模组必备配套芯片，需求同步增长。近5日主力资金净流入8.14亿元，资金面强势。
华
85%
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公司已进入SK海力士全球供应链体系，年报明确披露为HBM核心TSV刻蚀工艺提供高端电子特气。iHBM技术将ICE冷却元件集成至HBM封装内，TSV刻蚀工艺更为复杂，对电子特气的需求量和品质要求同步提升。特种气体收入占比65%，直接受益于HBM扩产。
长
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全球封测龙头，拥有2.5D/3D封装、晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)等先进封装技术，广泛应用于HBM、高性能计算等领域。iHBM技术所需的封装内集成冷却元件工艺对封测能力提出新要求，长电科技凭借技术储备有望承接相关封装需求。
华
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CMP(化学机械抛光)设备是HBM制造中TSV工艺、晶圆减薄等环节的关键设备。公告明确提到"紧跟HBM、CoWoS等先进封装技术发展趋势"。iHBM散热技术集成至HBM封装，对CMP平坦化精度提出更高要求。HBM概念板块标的，CMP设备收入占比87.2%。
德
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产品包括芯片级导热界面材料(导热垫片、导热凝胶、液态金属等)及芯片级散热盖粘接胶，公告明确提及"先进封装(如HBM、CoWoS)需求的爆发"。iHBM技术核心正是封装内散热方案，德邦科技的导热界面材料直接匹配HBM封装散热需求。集成电路封装材料收入占比16.2%。
华
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国内封测三强之一，拥有TSV(硅通孔)、Bumping、Fan-Out等HBM必需的先进封装技术。TSV是HBM芯片堆叠的核心工艺，iHBM将ICE冷却元件集成至HBM封装，进一步依赖TSV等互联技术。公司在玻璃基板封装领域也有布局，与HBM先进封装协同。
晶
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晶圆级TSV封装技术引领者，公告明确提到"内存市场对TSV硅通孔技术不断提出新的创新要求"。TSV是HBM芯片纵向堆叠的核心技术，iHBM技术将冷却元件集成至HBM封装内，进一步依赖TSV实现垂直互联。芯片封装收入占比77%，技术稀缺性突出。
精
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半导体存储器件测试设备收入占比55.6%，HBM概念板块标的。公告明确指出HBM、先进封装等技术迭代直接驱动高端测试设备的刚性需求。iHBM技术使HBM结构更复杂(集成冷却元件)，测试难度和测试设备需求同步提升。
华
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环氧塑封料(EMC)收入占比93.5%，是HBM封装的核心材料。公告指出公司已进入长电科技、通富微电等头部封测企业供应链。iHBM技术封装结构更复杂，对环氧塑封料的导热性、可靠性要求更高。HBM概念板块标的，直接受益于HBM封装材料需求增长。
雅
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HBM(高带宽存储器)概念板块标的，半导体材料收入占比31.4%，产品涵盖前驱体材料(用于HBM制造中的ALD/CVD工艺)。iHBM技术创新推动HBM5等下一代产品研发，前驱体材料作为芯片制造关键耗材，需求随HBM扩产同步增长。大基金持股，客户覆盖国内外主要存储厂。
联
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HBM概念板块标的，硅微粉/球形氧化铝是环氧塑封料(EMC)的关键填料。公告指出"先进封装对EMC、GMC等封装材料的散热性能提出更高要求，球形氧化铝凭借高导热性需求上升"。iHBM封装内集成冷却对散热填料要求提升，联瑞新材作为硅微粉龙头有望受益。
佰
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HBM概念板块标的，年报中详细分析了HBM市场格局(SK海力士DRAM市占率33.2%)和技术演进路线(HBM3E到HBM4)。iHBM技术将用于HBM5等下一代产品，佰维存储作为存储模组厂商，其先进封测服务收入与HBM产业链景气度高度相关。
江
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国内存储龙头，募投项目包含HBM相关存储技术。公告中系统阐述了HBM作为AI领域首选高带宽内存技术(采用TSV将多个DRAM堆叠)，SK海力士是其主要DRAM供应商之一。iHBM技术提升HBM散热效率，加速HBM在AI数据中心渗透，利好存储产业链整体需求。
北
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存储芯片收入占比61.4%，公告指出公司拥有DRAM设计经验，正在推进3D DRAM研发。SK海力士iHBM技术推动HBM向更高密度演进，引发传统DRAM产能重构(DDR4产能受挤压)，DRAM涨价周期利好北京君正的利基型DRAM业务。