机构：美光Fab 6投产LPDDR4/DDR4 不影响DDR4供给短缺格局
内存
半导体
【机构：美光Fab 6投产LPDDR4/DDR4 不影响DDR4供给短缺格局】Micron（美光）近日宣布，其美国弗吉尼亚州Fab 6开始投产1α nm制程的LPDDR4和DDR4，主要供应给汽车、国防航天、工业、网通及医疗等关键领域客户。根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，Fab 6扩产主要反映Micron内部产能配置调整，而非重启对消费性DDR4的供给。TrendForce集邦咨询分析，Micron将调整Fab 6的生产重心至LPDDR4及DDR4，并以前者为主，预估该厂整体投片量将于2027年第四季成长至2026年第二季的1.5倍。其中，1α nm的投片将于2026年底开始量产，并于2027年提升投片至四倍规模。同时，OMT厂的1α nm将逐季减产，整体DDR4与LPDDR4并无扩产的规划。
相关股票
12 只 · 按关联度排序
兆
92%
加载行情
国内利基型DRAM龙头，2025年报显示DDR4 8Gb产品市场推广顺利、营收稳步增长，LPDDR4产品开始贡献营收。TrendForce确认美光Fab 6为产能调配而非扩产消费级DDR4，DDR4供给短缺格局不变，直接利好兆易创新的利基型DRAM业务（存储芯片收入占71.3%）。近5日主力资金净流出1.96亿元，短期资金面偏弱，但事件基本面利好明确。
北
90%
加载行情
存储芯片收入占61.4%（2025年报），其年报明确写道：三星/美光/海力士将产能转向HBM，DDR4/LPDDR4产能严重不足、引发缺货涨价潮。美光Fab 6不扩产消费级DDR4，确认了这一判断的延续。北京君正DDR4/LPDDR4产品线直接受益于供给持续短缺。近5日主力资金净流入3.73亿元，资金面积极反应。
聚
90%
加载行情
全球DDR2/3/4/5 SPD芯片核心供应商，公告明确提及把握DDR4 SPD芯片供应短缺带来的市场机会导入多家头部内存模组厂商。DDR4供给紧绷→内存模组配套SPD芯片需求稳定。存储类芯片收入占87.6%，DDR4 SPD为重要产品线。
澜
88%
加载行情
全球DDR4内存接口芯片（RCD/DB）核心供应商，年报显示DDR4接口芯片完整覆盖Gen1.0至Gen2 Plus全系列。收入中内存接口芯片占比94.2%，DDR4模组必需配套其芯片。DDR4供给持续紧张，存量DDR4服务器/PC模组市场对接口芯片需求稳定。近5日主力资金净流入11.44亿元，资金面强势。
佰
85%
加载行情
LPDDR4/4X产品涵盖8Gb至128Gb完整容量（2025年报），车规级LPDDR4/eMMC供应商，嵌入式存储收入占60.9%。新闻中美光重点转向汽车/国防/工控/医疗等关键领域，佰维存储正是国内少数具备车规级存储解决方案能力的公司，形成国产替代对标。
江
85%
加载行情
LPDDR4、DDR4内存条产品线完整，车规级LPDDR4已通过AEC-Q100认证（-40℃至+105℃宽温域）。嵌入式存储收入占44%，Lexar品牌DDR4内存条覆盖消费级市场。DDR4供给短缺格局持续利好存储模组厂商定价能力与库存价值。
德
83%
加载行情
公告明确指出：原厂将产能集中于HBM/DDR5，DDR4供给迅速收缩、价格快速攀升，小容量产品以DDR4规格为主、毛利率快速增长。DDR4供给持续短缺格局下，内存条类产品（收入占9.7%）及整体存储业务直接受益于涨价周期延续。
大
80%
加载行情
半导体存储器收入占89.8%，主力产品DDR4/LPDDR4X系列保持稳定销售，已与国产CPU平台完成适配并批量交付。公告称2025年全球存储行业迎来'超级涨价周期'，DDR4/LPDDR4X出货量显著增长。DDR4供给持续短缺利好其存储业务盈利能力。
商
80%
加载行情
长鑫科技（国产DRAM制造商）内存产品授权代理商，代理区域覆盖中国及东南亚，存储器件采购金额达1.52亿元。DDR4涨价周期中，电子元器件分销商的库存价值重估效应显著。汽车及工业行业收入占38.9%，与美光重点转向的汽车/工业领域客户群重叠。
深
78%
加载行情
存储半导体业务收入占26%（2025年报），国内最大DRAM封测服务商之一，提供内存条及U盘等存储产品的封装测试服务。DDR4/LPDDR4供给持续紧张背景下，封测环节代工需求保持高位，存储半导体业务利润贡献达28.9%。
东
75%
加载行情
国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整存储芯片解决方案的公司，2025年报显示正拓展DDR3、LPDDR4等产品线。DRAM系列产品收入占5.8%虽小但增长中。美光不扩产DDR4→国产DRAM替代窗口期延长，东芯股份作为本土DRAM设计公司受益。
盛
70%
加载行情
半导体清洗设备供应商，公告显示其清洗设备已应用于DRAM 10nm技术节点，在DRAM制程中有70多步应用。虽不直接受益DDR4涨价，但国内DRAM扩产长期趋势对半导体设备需求构成支撑。