财联社5月27日电，南方两倍做多海力士涨超30%，成交额达40亿港元。南方两倍做多三星电子涨超15%，成交额超14亿港元。
内存
闪存
高带宽存储器HBM
财联社5月27日电，南方两倍做多海力士涨超30%，成交额达40亿港元。南方两倍做多三星电子涨超15%，成交额超14亿港元。
相关股票
16 只 · 按关联度排序
华
93%
加载行情
年报明确披露深度布局HBM产业链，为TSV硅通孔工艺提供先进刻蚀气体；已进入SK海力士、三星、英特尔、美光等全球领先半导体企业供应链体系；2026年HBM市场546亿美元、三星海力士将70%新增产能投向HBM，公司直接受益于HBM爆发式增长。
精
92%
加载行情
公告披露连续12月内与同一交易对手签订4.32亿元半导体量检测设备合同，应用场景为先进存储和HBM领域；半导体业务收入占比39.4%且利润占比41.8%；已被市场标记为高带宽存储器HBM概念股；近4日主力净流入2.85亿元。
金
88%
加载行情
年报明确提及'深化与中芯国际、海力士、长鑫存储等半导体企业的深度绑定'，直接为SK海力士供应半导体电子特气；泛半导体行业收入占比22.9%且利润占比29.4%，为第一大利润来源。
通
87%
加载行情
公告披露存储芯片封测能力已全面覆盖FLASH、DRAM中高端产品，以晶圆减薄与高堆叠封装为核心技术，与存储领军企业建立长期稳定合作关系；集成电路封装测试收入占比97.6%；近4日主力净流入3922万元。
佰
85%
加载行情
年报详细阐述HBM市场（2025年307.5亿美元，同比增长超100%），公司拥有先进封装能力（2.5D、Chiplet等），部分产能服务战略客户；已被市场标记为高带宽存储器HBM概念股；嵌入式存储收入占60.9%。
神
82%
加载行情
年报专门分析SK海力士HBM业务：预计2026年销售额突破165万亿韩元、资本支出增至30万亿韩元以上投向HBM；公司集成电路刻蚀用单晶硅材料是HBM TSV刻蚀工艺的关键耗材，16英寸以上产品收入占24.4%。
东
75%
加载行情
国内少数同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案的存储芯片设计公司；NAND产品收入占65.2%；存储国产替代率低（DRAM约5%、NAND<10%），成长空间大。
大
73%
加载行情
半导体存储器业务收入占比高达89.8%，产品覆盖DDR3/4/5、LPDDR4X、eMMC、UFS等存储模组；公司年报称精准把握行业周期，战略储备库存释放利润，存储涨价周期直接受益。