三星电子开始出货业界首款12层HBM4E样品
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高带宽存储器HBM
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三星电子宣布已开始向全球主要客户出货业界首款12层堆叠HBM4E样品，继今年早些时候率先量产并商业出货HBM4后，进一步扩展HBM路线图，以满足AI计算和超大规模基础设施快速演进的需求。
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华
92%
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2025年报披露为HBM核心TSV刻蚀工艺提供高端电子特气，已进入三星、SK海力士、美光等全球半导体龙头供应链。年报引用数据：2026年HBM市场规模546亿美元（+58%），三星将70%新增产能投向HBM，公司直接受益于HBM爆发。
佰
87%
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概念板块含"高带宽存储器HBM"，2025年报分析HBM市场（Gartner数据：2025年HBM市场规模307.5亿美元，同比超100%），指出2026年HBM4从送样迈向量产，公司布局研发封测一体化。
晶
82%
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2025年报指出"2.5D/3D封装成为AI服务器、HBM及高性能计算需求外溢的主要载体"，公司拥有全球领先的TSV晶圆级封装技术，与HBM的核心工艺（TSV+3D堆叠）高度契合。
通
80%
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2025年报披露拥有2.5D异构集成、TSV硅通孔技术等HBM相关核心技术，公告直接提及HBM。公司与AMD深度绑定，AMD的AI加速器采用HBM内存，封装测试收入占比97.6%。
长
78%
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2025年报披露拥有2.5D/3D封装、晶圆级封装等先进封装技术，广泛应用于AI、高密度存储领域。HBM4E的12层堆叠与GPU集成需要2.5D/3D先进封装，公司为全球第三大封测企业。
龙
72%
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2025年报指出"CoWoS与HBM高带宽内存融合进一步深化，直接带动先进封装专用掩模版需求持续爆发"，公司是国内稀缺的独立第三方半导体掩模版厂商，HBM4E封装工艺需要大量掩模版。