摩根大通：存储芯片股散户买盘“持续且高涨” 毫无获利了结迹象
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【摩根大通：存储芯片股散户买盘“持续且高涨” 毫无获利了结迹象】摩根大通最新研究显示，近几个月来，散户投资者纷纷涌入美光科技和SK海力士等存储芯片股。即便这些股票近期不断创下历史新高，这种投资趋势仍在持续。“尽管这些股票表现强劲——包括美光和SK海力士相继突破1万亿美元的市值大关——但目前几乎没有迹象表明散户投资者在该板块大规模获利了结。” 摩根大通在周四的一份报告中表示。
相关股票
17 只 · 按关联度排序
兆
92%
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国内存储芯片设计龙头，2025年报显示存储芯片收入占比71.3%（NOR Flash+利基DRAM），SPI NOR Flash全球市占率第二。美光/SK海力士市值持续新高映射A股存储景气，兆易创新作为国产存储芯片最核心标的直接受益于行业上行周期。
北
90%
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通过矽成半导体切入DRAM市场，2025年报存储芯片收入占比61.4%，为国产DRAM主要供应商。公告明确指出AI带动HBM需求导致传统DRAM缺货涨价，公司DRAM产品直接受益。近5日主力资金净流入5.9亿元，资金面积极。
佰
88%
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存储芯片封测一体化龙头，嵌入式存储收入60.9%，拥有HBM概念。2025年报直接分析美光、SK海力士市占率（NAND Flash：美光13.0%，SK海力士19.0%），并指出国产存储份额仅5%-10%，发展空间巨大。国家大基金二期持股。
江
88%
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国产存储品牌龙头，2025年报嵌入式存储44%+SSD 24.5%+移动存储21.5%，存储业务收入100%。公告显示美光/SK海力士/三星占全球DRAM市场超90%，公司向上游采购晶圆，存储市场景气直接带动公司营收增长。
华
87%
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已进入美光科技、SK海力士、三星等全球存储龙头的供应链体系。2025年报明确深度布局HBM产业链，为TSV硅通孔工艺提供高端刻蚀气体。HBM市场2026年预计546亿美元（+58%），公司直接受益于存储芯片扩产带来的特气需求。
联
85%
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全球独立SSD主控芯片头部厂商，数据存储主控芯片收入占比87.6%。2025年报指出三星/SK海力士/美光占企业级SSD市场90%以上，AI驱动企业级SSD需求快速攀升，公司作为国产SSD主控核心供应商直接受益于存储市场景气。
澜
83%
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内存接口芯片龙头，收入占比94.2%，DDR5世代升级核心受益者。存储芯片市场景气度直接带动内存接口芯片需求，美光/SK海力士增产DDR5和HBM将增加对内存接口芯片的采购需求。
东
82%
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国内少数同时提供NAND Flash（65.2%）、NOR Flash、DRAM完整方案的芯片设计公司。存储芯片国产化率低（NAND<10%，DRAM约5%），在美光/海力士持续走强背景下国产替代逻辑强化，公司直接受益。
德
80%
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自研存储主控芯片+存储模组一体化，2025年报SSD收入42.5%、嵌入式34%。公告指出美光/SK海力士将70%新增产能投向HBM、收缩通用存储，公司承接国产替代需求，存储模组产品直接受益于行业供需格局改善。
精
78%
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半导体存储器件测试设备收入55.6%，2025年报明确全球存储厂商将新增产能投向HBM及高端服务器存储，利好具备高端测试能力的设备厂商。美光/海力士扩产直接拉动存储测试设备需求。
华
77%
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国内封测龙头，拥有TSV、3D封装等先进封装技术。2025年报明确指出HPC/AI驱动HBM等存储产品需求，先进封装市场占比持续扩大，存储电路销售额实现34.8%增长，公司封测业务直接受益于存储芯片扩产。
聚
76%
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存储类芯片（EEPROM）收入占比87.6%，产品用于内存模组SPD等场景。存储芯片景气度提升带动内存模组出货量增长，公司EEPROM作为配套芯片需求同步受益。已进入三星等全球存储生态供应链。
普
73%
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NOR Flash+EEPROM存储芯片设计公司，产品广泛应用于消费电子、物联网等领域。公告提及公司存储晶圆供应商包括三星、美光、SK海力士等原厂，存储芯片行业景气上行直接利好公司营收。
盛
72%
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半导体清洗设备供应商，2025年报披露TEBO清洗设备已应用于3D NAND和DRAM制造，HBM产能扩张直接拉动设备采购。三星/SK海力士/美光将70%新增产能投向HBM，公司作为国产半导体设备商有望受益。
大
68%
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半导体存储器收入占比89.8%（2025年报），已成功向存储领域战略转型。公告披露公司原材料为NAND Flash和DRAM存储晶圆，直接采购自三星、SK海力士、美光等原厂，存储市场景气直接带动公司业务发展。