美光科技FY26Q2业绩超预期，HBM4率先量产且2026年产能全面售罄
内存
高带宽存储器HBM
美光科技FY26Q2实现营收238.6亿美元，同比增长196%，显著超市场预期；GAAP毛利率环比大幅提升18.4个百分点至74.4%，并指引下季度升至约81%。公司为英伟达Vera Rubin平台设计的HBM4已于2026年Q1率先量产出货，带宽超2.8TB/s，且2026年HBM产能已全面售罄；企业级PCIe Gen6 SSD率先量产，数据中心SSD份额连续四年提升。公司将在纽约州扩建Megafab综合体，并在新加坡、日本、印度推进先进封装与晶圆厂建设。
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15 只 · 按关联度排序
澜
93%
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内存接口芯片全球龙头，收入94.2%来自内存接口芯片；DDR5/HBM4模组必须搭配内存接口及配套芯片，美光HBM4率先量产+产能售罄直接拉动澜起DDR5内存接口芯片需求；近4日主力净流入4.23亿元，资金面积极。
佰
92%
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研发封测一体化存储厂商，HBM、存储模组、企业级SSD三条逻辑链同时命中；年报直接引用美光等原厂DRAM/NAND市场格局分析（TrendForce数据）；嵌入式存储收入60.9%，企业级PCIe SSD已导入头部AI服务器厂商，受存储景气上行+国产替代双驱动。
联
90%
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国内唯一布局企业级PCIe Gen6 SSD主控芯片的公司，公告明确将PCIe Gen6/Gen7作为募投方向；美光率先量产PCIe Gen6 SSD形成对标，国产替代紧迫性提升；数据存储主控芯片收入占比87.6%，近4日主力净流入6249万元。
通
88%
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国内封测龙头，2025年报披露设立通富通科作为存储芯片封测基地，覆盖多层堆叠封装技术；HBM4量产需要先进封装能力，公司已进入头部封测供应链，存储封测产能布局直接受益于HBM产能扩张。
长
87%
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全球封测龙头，拥有2.5D/3D封装、晶圆级封装（WLP）等HBM所需先进封装技术；芯片封测收入99.6%，客户覆盖全球主要存储原厂；美光HBM4量产+全球扩产直接拉动先进封装代工需求。
华
86%
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环氧塑封料（EMC）国产龙头，HBM先进封装关键材料供应商；年报披露已进入长电科技、通富微电等头部封测企业供应链，QFN/BGA/MUF等中高端产品销量同比大增；HBM4量产带动先进封装材料需求爆发。
聚
84%
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存储类芯片收入87.6%，与澜起科技合作开发DDR5 SPD芯片，为DDR5/HBM4内存模组必备配套芯片；年报披露DDR5 SPD全球主要供应商仅公司与瑞萨电子两家，双寡头格局下直接受益于DDR5/HBM渗透率提升。
兆
82%
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国内存储芯片龙头，存储芯片收入71.3%（含NOR Flash和利基型DRAM），SPI NOR Flash全球市占率第二；美光超高景气度验证存储行业量价齐升，公司直接受益于涨价周期+国产替代。
北
80%
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存储芯片收入占比61.4%（含DRAM芯片），通过子公司矽成（ISSI）布局车规/工业级DRAM和Flash；美光FY26Q2营收+196%、毛利率74.4%验证存储行业超高景气，公司作为国内DRAM设计龙头直接受益。
江
79%
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国内存储品牌龙头，产品覆盖嵌入式存储（44%）、SSD（24.5%）、移动存储等全品类；企业级PCIe SSD产品已量产，面向数据中心；存储原厂量价齐升传导至品牌模组厂，公司营收、毛利率同步受益。
华
78%
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国内封测三巨头之一，布局Fan-Out、WLP、TSV等先进封装技术，可用于HBM封装；集成电路封装测试收入100%；美光全球扩产+先进封装需求提升，国内封测代工龙头订单外溢受益。
香
75%
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电子元器件分销收入94.2%，代理SK海力士等原厂存储产品；自研企业级SSD品牌“海普存储”已量产并首次实现年度盈利；存储行业景气上行推动分销商量价齐升，自主品牌亦受益HBM/DDR5需求爆发。
沪
73%
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AI服务器/数据中心PCB龙头，年报披露产品主要应用于数据中心（AI服务器、HPC、高速交换机等）；HBM4+PCIe Gen6 SSD驱动AI服务器存储带宽升级，高端PCB需求结构性增长。
普
68%
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NOR Flash/EEPROM设计公司，芯片产品收入100%；产品应用于手机、物联网、服务器等领域；存储行业景气上行带动NOR Flash涨价周期，间接受益于美光引领的存储行业高景气。