Arm首席执行官：存储芯片供应整体仍吃紧
内存
闪存
高带宽存储器HBM
【Arm首席执行官：存储芯片供应整体仍吃紧】Arm首席执行官Rene Haas告诉记者，包括高带宽存储芯片、DRAM和NAND在内的各类存储芯片的供需平衡都很紧张。Haas表示，未来一段时间内，供应整体仍将保持紧张。他表示，由于之前下行时期时产能扩张不足，存储芯片仍然是最难解决的瓶颈问题。
相关股票
16 只 · 按关联度排序
兆
92%
加载行情
国内存储芯片龙头，2025年报显示存储芯片收入占营收71.3%、利润76.0%。SPI NOR Flash全球市占率第二。公司公告指出DRAM方面'国际头部公司加速向HBM等主流产品迁移，放弃或减少利基型产品'导致利基型DRAM价格大涨。ArmCEO提及的DRAM和NAND供应吃紧直接利好公司存储产品线。
北
90%
加载行情
通过全资子公司ISSI布局DRAM存储芯片，2025年报显示存储芯片（DRAM为主）占营收61.4%、利润57.6%。DRAM是ArmCEO点名最紧缺品类之一，82.7%收入来自海外，全球客户覆盖广，直接受益于DRAM涨价周期。
澜
88%
加载行情
全球DDR5内存接口芯片龙头，2025年报显示内存接口芯片占营收94.2%、利润99.2%。每根DDR5内存模组需配套接口芯片。公司DDR5 MRCD/MDB芯片（年报披露）正用于MRDIMM高带宽内存模组。DRAM供应紧张叠加DDR5渗透加速，直接拉动接口芯片出货量。
佰
86%
加载行情
存储模组龙头，嵌入式存储60.9%、PC存储32.7%。公司公告明确'存储器产品价格随市场供需状况而波动'，供应吃紧直接推动涨价。年报详细分析HBM市场（2025年HBM市场规模307.5亿美元，同比+100%），毛利率从2022年13.7%升至2025年21.4%，涨价周期利润弹性大。
江
84%
加载行情
半导体存储品牌企业，2025年报嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%。NAND和DRAM是公司核心原材料（存储业务收入100%），供给紧张推动产品涨价和库存价值重估。作为国产存储龙头，受益于存储涨价周期与国产替代双重驱动。
东
83%
加载行情
国内少数同时提供NAND(65.2%)、MCP(25.0%)、DRAM(5.8%)完整存储芯片解决方案的公司。NAND系列产品收入占比65.2%，利润占比72.5%，直接对应ArmCEO提及的最紧缺存储品类NAND和DRAM，国产存储芯片设计稀缺标的。
华
82%
加载行情
电子特气龙头，公司年报明确'为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发'并已进入美光、SK海力士、三星的供应链体系。其高纯电子特气是3D NAND制程、DRAM、HBM制造的核心耗材，存储扩产直接拉动产品需求。
长
80%
加载行情
全球领先封测企业，芯片封测收入占比99.6%。拥有2.5D/3D先进封装能力，HBM需采用TSV硅通孔先进封装工艺（年报提及高密度存储领域）。存储芯片供应紧张推动扩产，封测需求随之增长。央企控股背景+大基金持股。
聚
78%
加载行情
存储类芯片(EEPROM为主)占营收87.6%、利润95.2%。SPD EEPROM是DDR5内存模组标配芯片，公司产品应用于内存模组、智能手机等领域。DRAM需求增长直接带动配套EEPROM芯片出货量。
德
78%
加载行情
闪存主控芯片设计+存储模组制造商，固态硬盘42.5%、嵌入式存储34.0%。公司直接采购NAND Flash颗粒生产模组，存储业务收入100%。涨价周期中库存增值+产品售价同步提升，业绩弹性大。
精
77%
加载行情
半导体存储器件测试设备占营收55.6%。公司年报明确指出：'存储厂商将新增产能优先投向HBM及高端服务器存储产品，直接利好具备高端测试能力的设备厂商'。存储扩产为公司带来直接设备订单增长。
雅
75%
加载行情
半导体材料（前驱体）占营收31.4%，前驱体是HBM和DRAM制造的关键材料。公司具有'高带宽存储器HBM'概念，覆盖半导体前驱体、电子特气、光刻胶等环节，存储扩产直接拉动材料需求。
中
73%
加载行情
半导体刻蚀设备龙头，设备用于3D NAND和DRAM制造。具有'高带宽存储器HBM'概念。存储产能扩张（ArmCEO所言供应吃紧推动扩产）直接带动刻蚀设备采购需求。2025年报设备收入100%。
普
72%
加载行情
NOR Flash存储芯片设计企业，芯片产品收入100%。受益于存储芯片整体涨价周期和ArmCEO强调的供应紧张，NOR Flash作为存储芯片重要品类直接受益。产品广泛应用于物联网、可穿戴等领域。