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机构:DRAM持续供不应求 预估2027年HBM合约价将倍数上涨

内存 高带宽存储器HBM
【机构:DRAM持续供不应求 预估2027年HBM合约价将倍数上涨】《科创板日报》2日讯,根据TrendForce集邦咨询最新研究指出,自2H25以来,一般型DRAM(Conventional DRAM)价格大涨,反映供不应求形势之际,三大原厂的HBM年度议价机制,导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26,买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为,基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本,三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。

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AMD核心封测伙伴,子公司通富通科定位存储芯片封测基地,覆盖多层堆叠封装。2025年报披露集成电路封装测试收入占比97.6%,AMD作为HBM最大采购方之一,HBM涨价将推动先进封装需求。
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存储模组龙头,2025年报深度分析HBM4送样迈向量产及DRAM供不应求格局。DRAM晶圆占采购成本主要部分,涨价直接推动产品售价提升。HBM概念板块成分股。
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DDR5内存接口芯片全球龙头(收入占比94.2%),MRCD/MDB是服务器高带宽内存模组MRDIMM核心器件。HBM涨价与DRAM供不应求推动服务器内存升级,直接拉动接口芯片出货。境外持仓12.76%。
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全球OSAT龙头,拥有2.5D/3D封装、晶圆级封装等先进技术,年报明确覆盖高密度存储、AI计算等应用。HBM制造依赖TSV/2.5D先进封装工艺,将深度受益扩产需求。
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已开发ePoP/PoPt高密度存储器封装技术及2.5D/3D先进封装平台,2025年报指出HPC与AI驱动先进封装市场持续扩大,HBM涨价将带动存储封测需求增加。
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环氧塑封料(EMC)核心供应商,年报披露颗粒状环氧塑封料(GMC)在存储器件领域取得突破,已进入长电科技、通富微电等头部封测企业供应链。HBM概念板块成分股。
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控股子公司海太半导体(太极55%:SK海力士45%)以"全部成本+约定收益"模式向SK海力士提供后工序服务,已签署第四期合同。SK海力士为全球三大HBM原厂之一,HBM涨价直接推动服务量价齐升。
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2026年定增公告明确披露在研"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"项目,同时布局异质叠层先进封装工艺。独立第三方测试厂商,HBM放量带来增量测试订单。
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2026年公告明确阐述"AI驱动存储需求全面爆发、DRAM产品价格全面增长、供不应求将持续较长一段时间",指出存储市场涨价将推动盈利。内存条类产品收入占比9.7%。
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通过并购ISSI切入车规/工规DRAM市场,存储芯片收入占比61.4%。2025年报明确指出"DRAM产品在汽车、工业领域供应短缺",涨价周期将直接提升收入和利润率。
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全球存储品牌企业,产品覆盖DRAM内存条(收入占比9.7%)及NAND Flash全品类。嵌入式存储收入占比44%,DRAM涨价周期中品牌溢价和库存收益将充分体现。
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国内存储芯片龙头(存储芯片收入占比71.3%),拥有"DRAM芯片研发及产业化项目",SPI NOR Flash全球第二。DRAM涨价周期将提升ASP和毛利率,利基型DRAM加速成长。
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半导体前驱体材料核心供应商(半导体业务收入占比31.4%),通过收购韩国UP Chemical切入HBM供应链。HBM概念板块成分股,HBM扩产直接拉动前驱体等半导体材料需求。
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存储半导体业务收入占比26%,为全球存储芯片客户提供封测及模组制造服务。央企背景存储封测服务商,DRAM涨价带动存储产业链扩产,受益客户产能扩张配套需求。