机构：一季度存储器价格全面上涨 各类产品季增幅度将创历史新高
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【机构：一季度存储器价格全面上涨 各类产品季增幅度将创历史新高】根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，该机构据此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90-95%，NAND Flash合约价则从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。
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佰
95%
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国内存储模组龙头，2025年报显示嵌入式存储收入占60.9%、PC存储占32.7%，集成电路业务占收入97.5%。DRAM/NAND Flash晶圆采购成本占比极高，合约价季涨90-95%/55-60%将直接推升产品售价与毛利率（2025年毛利率21.4%），同时库存价值大幅重估，是存储涨价周期下弹性最大的标的之一。
江
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全球领先半导体存储品牌企业，2025年报显示存储业务收入占比100%，其中嵌入式44%、SSD 24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%。2026Q1 DRAM合约价季涨90-95%、NAND季涨55-60%，公司直接采购晶圆进行模组化生产，涨价周期下库存价值与产品售价同步提升，业绩弹性巨大。
德
93%
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国内存储主控芯片设计+存储模组企业，2025年报显示存储业务收入占比100%，其中SSD 42.5%、嵌入式34%、移动存储13.7%、内存条9.7%。公司公告明确其产品成本中NAND Flash和DRAM晶圆占比极高，原厂寡头垄断。DRAM/NAND价格季度涨幅创历史新高，晶圆采购成本与成品售价价差扩大，毛利率将显著受益。
兆
92%
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国内存储芯片设计龙头，2025年报显示存储芯片收入占71.3%（NOR Flash+SLC NAND+DRAM），SPI NOR Flash全球市占率第二。公告披露公司DRAM产品（利基型）与NAND Flash全品类覆盖，AI推动存储需求爆发与价格全面上涨，公司作为Fabless设计公司直接受益于存储涨价带来的营收与毛利率提升。
朗
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闪存盘发明者，2025年报显示闪存应用产品收入占70.9%、闪存控制芯片占27.2%，计算机通信电子设备收入合计99.3%。公告引用CFM闪存市场数据预测2026年DRAM市场增长69%、NAND增长52%。DRAM/NAND价格季涨90-95%/55-60%，公司闪存产品直接受益于原材料涨价驱动的售价提升与库存增值。
北
88%
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通过子公司北京矽成（ISSI）布局存储芯片，2025年报显示存储芯片收入占61.4%（DRAM+SRAM+NAND Flash），集成电路设计业务占比99.8%。公告披露拥有从256Kb至2Gb的NOR Flash及NAND Flash产品线。DRAM/NAND价格全面上涨直接增厚存储芯片业务营收与利润。
东
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国内少数同时提供NAND Flash（65.2%）、MCP（25%）、DRAM（5.8%）、NOR Flash（3.6%）完整存储芯片解决方案的公司，100%集成电路业务。公告显示1xnm先进制程NAND已实现量产。DRAM合约价季涨90-95%、NAND季涨55-60%，公司全产品线覆盖涨价品类，营收弹性大。
澜
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全球内存接口芯片龙头，2025年报显示内存接口芯片收入占94.2%，DDR5 RCD/MDB/SPD Hub等产品是DRAM模组必备芯片。AI服务器DRAM需求量是普通服务器8倍，DRAM合约价季涨90-95%意味着内存模组出货量与ASP双升，直接拉动接口芯片出货规模与单价。
普
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主营NOR Flash和EEPROM非易失性存储器芯片，100%芯片产品收入。年报披露SLC NAND Flash及MCP产品（整合NAND+DRAM）已进入车规级市场。存储芯片全面涨价浪潮下，NOR Flash与SLC NAND价格跟随上行，公司作为国内NOR主要供应商之一充分受益。
大
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2025年报显示半导体存储器业务收入占比89.8%（DRAM模组DDR3/4/5、NAND产品eMMC/UFS等），已采用长江存储NAND和长鑫存储DRAM方案。存储涨价周期中，公司存储模组业务受益于产品售价提升与库存价值重估。
联
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国内SSD主控芯片龙头，2025年报显示数据存储主控芯片收入占87.6%。公告披露SSD主控是存储器核心部件，与NAND Flash颗粒搭配使用。NAND Flash合约价季涨55-60%、AI驱动存储需求爆发，SSD出货量增长直接拉动主控芯片需求。
聚
82%
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存储类芯片收入占87.6%（EEPROM+SPD芯片），公告披露DDR5内存模组必需搭载SPD芯片作为通信中枢。DRAM合约价季涨90-95%意味着DDR5内存模组出货量与渗透率加速提升，SPD芯片作为每根DDR5模组标配，需求量直接受益。
诚
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转型存储芯片封测与模组业务，2025年报显示存储半导体业务收入占67.3%（存储产品销售62.7%+加工4.6%），公告披露已布局DDR3/4/5内存条、SSD及嵌入式存储产品线。DRAM/NAND价格创历史新高，公司存储产品直接受益。
拓
72%
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半导体薄膜沉积设备龙头，公告明确提到存储芯片扩产规划清晰直接拉动薄膜沉积设备需求。AI与数据中心驱动存储供需失衡加剧，原厂扩产意愿增强，公司PECVD/ALD设备广泛应用于逻辑和存储芯片制造，将受益于存储原厂资本开支扩张。
华
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电子特气龙头，公告明确高纯三氟甲烷等特气是3D NAND制程、DRAM存储芯片、HBM高带宽内存的核心刚需耗材。公司已进入长江存储、长鑫存储等供应链，HBM TSV刻蚀用高端特气精准卡位。存储扩产直接拉升耗材用量。
中
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等离子体刻蚀设备龙头，公告披露其刻蚀设备用于存储芯片接触孔等高深宽比关键工艺。存储价格暴涨→原厂盈利改善→扩产意愿增强→设备采购增加，逻辑链清晰。公司刻蚀/薄膜设备是3D NAND多层化与DRAM先进制程必需装备。
西
70%
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大陆最大12英寸硅片厂商，招股书披露产品已量产用于2YY层NAND Flash、先进DRAM存储芯片。硅片是存储芯片制造核心基础材料，存储价格暴涨→原厂扩产→硅片需求提升，公司直接受益于存储产能扩张对12英寸硅片的增量需求。