宿迁联盛：拟设立合资公司从事磷化铟衬底业务 二期预计产能扩充至40万片/年
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【宿迁联盛：拟设立合资公司从事磷化铟衬底业务 二期预计产能扩充至40万片/年】财联社6月8日电，宿迁联盛(603065.SH)公告称，公司与朱蓉辉、汇智光芯签署《合资意向协议》，拟共同出资1000万元设立合资公司，从事磷化铟衬底的研发生产销售。其中公司出资700万元，持股70%。项目计划分两期建设，一期固定投资1亿元，预期年产12万片4-6英寸磷化铟衬底；二期预计追加投资2亿元，产能扩充至40万片/年。本次投资尚需提交股东会审议，存在较大不确定性。
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宿
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事件主体公司。公告拟出资700万元(持股70%)与朱蓉辉、汇智光芯设立合资公司从事磷化铟衬底业务，一期固定投资1亿元(年产12万片4-6英寸)，二期追加2亿元(扩至40万片/年)。公司原主营光稳定剂(受阻胺光稳定剂收入占比53.6%)，跨界进入化合物半导体领域，是本次公告的直接受益标的。
云
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国内已量产磷化铟单晶片的直接竞品。2026年4月公告投资1.89亿元实施高品质磷化铟单晶片建设项目，通过控股子公司云南鑫耀半导体扩产至年产45万片(折合4英寸)，与宿迁联盛新JV处于同一赛道。公司化合物半导体材料收入占12.9%，产品涵盖砷化镓晶片和磷化铟晶片。
源
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InP光芯片IDM厂商，是磷化铟衬底的核心下游用户。2025年报明确披露基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的光芯片作为激光雷达核心部件，50G EML等高速芯片均依赖InP衬底。数据中心产品收入占比65.4%，近5日主力资金净流入1.42亿元。InP衬底扩产将保障其原材料供应。
兆
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2026年3月公告建设年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目(一期)，专门建设砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线，是InP衬底的直接大规模需求方。项目涵盖25G DFB到50G EML等多款InP基光芯片，配套400G/800G/1.6T光模块应用。
长
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光芯片龙头，公告明确披露高端光通信产品依赖特定原材料(如磷化铟)，若供应链波动将直接影响生产交付。100G EML已量产、200G EML送样中，均基于InP材料平台。InP衬底的国内扩产有助于降低其对进口原材料的依赖风险。
光
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2025年报明确将磷化铟(InP)列为超高速光通信调制器芯片三大核心材料平台之一(与硅光SiPh、铌酸锂并列)。公司光通讯器件收入占比53.3%，高速光模块微型连接产品供应全球头部数据通讯商，InP衬底产能扩张直接利好其产业链配套。
光
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中国最大光器件商，拥有III-V族激光器芯片平台(含FP、DFB、EML、VCSEL)，是磷化铟衬底的最大消费群体之一。2025年报显示接入和数据产品收入占比70.9%，800G/1.6T光模块对InP基EML激光器需求持续扩大，国产InP衬底供应增加有助于保障其供应链安全。
华
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国内最大铟资源企业之一，铟是磷化铟衬底的核心原料。公司铟金属保有资源量3332.25吨(广西第一)，铟锭年产量约21吨。2026年2月投资者交流披露铟价上涨对业绩有积极影响，磷化铟衬底产业扩产将直接拉动上游高纯铟需求。