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上交所向宿迁联盛下发问询函 要求说明在10个月内建成年产12万片4-6英寸磷化铟衬底产线是否具备可行性

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【上交所向宿迁联盛下发问询函 要求说明在10个月内建成年产12万片4-6英寸磷化铟衬底产线是否具备可行性】财联社6月9日电,上交所发布《关于对宿迁联盛科技股份有限公司有关对外投资事项的问询函》,其中指出,公司拟共同出资1000万元设立合资公司从事磷化铟衬底的研发和生产销售。上交所要求公司补充披露:1、项目建设的具体安排,结合前置建设审批进展、规划施工许可、核心设备供给等,说明在10个月内建成年产12万片4-6英寸磷化铟衬底产线是否具备可行性;2、公司及相关股东后续资金投入的具体安排,合资公司相关股东是否有足够资金实力保障项目建设顺利开展,公司是否制定相关防控预案以防范合资公司少数股东出现出资违约等相关风险;3、结合公司主营业务经营情况和发展战略,说明公司进行大额跨行业投资的必要性与合理性,如何保障合资公司的资金安全、管理控制以及与公司现有业务的整合,是否对公司持续经营能力存在不利影响。请充分提示风险,并请独立董事发表意见。此外,结合股东减持计划的具体减持节奏和进展,说明是否存在利用信息披露配合股东减持的情形;结合内幕信息知情人登记管理制度,说明公司就该笔投资的内幕信息登记及保密措施执行情况,自查相关信息是否存在提前泄露情形。

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国内磷化铟衬底核心生产商。控股子公司云南鑫耀半导体已成熟量产磷化铟晶片,2026年4月公告投资1.8856亿元扩产至年产45万片(折合4英寸),含6000片6英寸,并直言"现有产能已无法满足市场需求"。化合物半导体材料(磷化铟/砷化镓晶片)营收占比12.9%。上交所质疑宿迁联盛10个月12万片可行性,反向验证了公司已建成的磷化铟产线壁垒与技术积累。
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新闻直接点名的上市公司。主营高分子材料防老化助剂(光稳定剂),2025年预亏900~1350万元,与磷化铟衬底毫无业务关联。拟出资1000万元合资跨界磷化铟衬底,上交所发函质疑10个月建成年产12万片4-6英寸产线的可行性、跨行业合理性及股东减持配合嫌疑。5日主力资金净流入7767万元(事件驱动力)。
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光芯片IDM企业,公告明确提及"基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的光芯片作为激光雷达核心部件"。磷化铟衬底是其生产激光器/探测器光芯片的关键基础材料。数据中心产品收入占比65.4%,电信市场34.3%。公司采用IDM全流程体系,是磷化铟衬底的重要下游用户,5日主力资金净流入6221万元。
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2026年3月公告投资建设"年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目(一期)",明确包含"砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线"。已配置兼容LED砷化镓芯片与激光芯片的MOCVD设备,建成激光芯片产线。磷化铟衬底是其激光芯片项目的直接上游原材料,属于一跳供应链关系。
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年报明确将磷化铟(InP)列为超高速光通信调制器三大核心技术平台之一(硅光SiPh、磷化铟InP、铌酸锂)。其光通讯器件营收占比53.3%,光纤激光器件33.8%。磷化铟衬底是公司高速光模块/调制器产品所需光芯片的上游材料,属一跳供应链关联。
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国内光器件/光模块龙头,连续18年入选中国光器件竞争力10强榜首。光模块产品广泛使用磷化铟基激光器芯片(如DFB激光器)。公司拥有光电子芯片、器件、模块全产业链能力,接入和数据业务收入占比70.9%。作为磷化铟衬底的下游光模块产品龙头间接受益于磷化铟产业链。