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【上交所向宿迁联盛下发问询函 要求说明在10个月内建成年产12万片4-6英寸磷化铟衬底产线是否具备可行性】财联社6月9日电,上交所发布《关于对宿迁联盛科技股份有限公司有关对外投资事项的问...
国内磷化铟衬底核心生产商。控股子公司云南鑫耀半导体已成熟量产磷化铟晶片,2026年4月公告投资1.8856亿元扩产至年产45万片(折合4英寸),含6000片6英寸,并直言"现有产能已无法满足市场需求"。化合物半导体材料(磷化铟/砷化镓晶片)营收占比12.9%。上交所质疑宿迁联盛10个月12万片可行性,反向验证了公司已建成的磷化铟产线壁垒与技术积累。
新闻直接点名的上市公司。主营高分子材料防老化助剂(光稳定剂),2025年预亏900~1350万元,与磷化铟衬底毫无业务关联。拟出资1000万元合资跨界磷化铟衬底,上交所发函质疑10个月建成年产12万片4-6英寸产线的可行性、跨行业合理性及股东减持配合嫌疑。5日主力资金净流入7767万元(事件驱动力)。
光芯片IDM企业,公告明确提及"基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的光芯片作为激光雷达核心部件"。磷化铟衬底是其生产激光器/探测器光芯片的关键基础材料。数据中心产品收入占比65.4%,电信市场34.3%。公司采用IDM全流程体系,是磷化铟衬底的重要下游用户,5日主力资金净流入6221万元。
2026年3月公告投资建设"年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目(一期)",明确包含"砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线"。已配置兼容LED砷化镓芯片与激光芯片的MOCVD设备,建成激光芯片产线。磷化铟衬底是其激光芯片项目的直接上游原材料,属于一跳供应链关系。
年报明确将磷化铟(InP)列为超高速光通信调制器三大核心技术平台之一(硅光SiPh、磷化铟InP、铌酸锂)。其光通讯器件营收占比53.3%,光纤激光器件33.8%。磷化铟衬底是公司高速光模块/调制器产品所需光芯片的上游材料,属一跳供应链关联。
国内光器件/光模块龙头,连续18年入选中国光器件竞争力10强榜首。光模块产品广泛使用磷化铟基激光器芯片(如DFB激光器)。公司拥有光电子芯片、器件、模块全产业链能力,接入和数据业务收入占比70.9%。作为磷化铟衬底的下游光模块产品龙头间接受益于磷化铟产业链。
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