美股存储芯片、光通信板块盘前普跌 ARM跌超4%
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【美股存储芯片、光通信板块盘前普跌 ARM跌超4%】美股存储芯片、光通信板块盘前普跌，ARM跌超4%，AMD、美光科技、POET跌超3%，高通、迈威尔科技、英特尔、闪迪、西部数据跌超2%。
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12 只 · 按关联度排序
通
92%
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与AMD形成'合资+合作'深度绑定模式，据公告披露占据AMD封测订单大部分份额。AMD盘前跌超3%，通富微电作为其核心封测供应商业务直接承压。2025年报显示集成电路封装测试收入占比97.6%，其中国外收入占66.6%。近5日主力净流出40.7亿元，资金面呈撤退态势，反映市场对AMD利空的直接传导预期。
澜
90%
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公告明确披露全球DRAM市场90%由三星、海力士及美光科技占据，三家公司均为公司内存接口芯片及模组配套芯片主要下游客户。美光盘前跌超3%，澜起科技内存接口芯片收入占比94.2%，业务直接受美光景气度影响。近5日主力净流出12.4亿元，境外持仓显著高于市场均值，外资敏感度极高。
中
85%
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全球数通光模块龙头，高端光通讯收发模块收入占比98%，国外营收占比90.6%。与Marvell(光模块DSP芯片)、POET(硅光技术)同处AI数据中心光互联生态。Marvell/POET/英特尔盘前跌超2-3%，同赛道情绪直接传导。公司800G/1.6T光模块已量产，近5日主力净流出89.4亿元，资金加速撤离。
新
83%
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光互联产品营收占比99.7%，国外营收占比96.2%，是Marvell、英特尔等海外DSP芯片厂商的核心光模块合作伙伴。Marvell/英特尔/POET盘前普跌，新易盛作为同赛道直接竞争对手/生态伙伴受情绪传导。产品覆盖400G/800G/1.6T高速光模块，高度依赖海外数据中心客户需求。
兆
82%
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存储芯片收入占比71.3%，NOR Flash全球市占率第二，利基型DRAM及SLC NAND布局完善。与美光(跌超3%)、闪迪(跌超2%)在存储芯片市场直接竞争。美光等海外存储巨头盘前普跌反映行业需求放缓预期，对A股存储芯片龙头的情绪传导最为直接。
佰
80%
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存储器研发封测一体化厂商，嵌入式存储收入占比60.9%，PC存储32.7%。公告引用TrendForce数据指出美光占NAND Flash市场13%、闪迪12.4%，与公司处于同一NAND/DRAM产业链。美光/闪迪/西部数据盘前普跌，存储板块整体承压，公司业务景气度高度相关。
江
80%
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存储品牌龙头，嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%，产品线与闪迪(跌超2%)、西部数据(跌超2%)高度重叠，在消费级/企业级存储市场直接竞争。国外营收占比66.8%，美股存储板块下跌通过估值锚和情绪链传导。
天
80%
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全球光器件龙头，光通信元器件收入占比98.4%，国外营收占比74.3%。公告指出公司连续八年获评'中国光器件最具竞争力企业10强'，是英伟达/Marvell等AI算力生态核心器件供应商。POET/英特尔/Marvell盘前光通信板块普跌，同赛道情绪直接传导。
德
78%
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主营NAND Flash/DRAM存储模组，固态硬盘42.5%、嵌入式存储34%、移动存储13.7%，产品与闪迪、西部数据在消费级存储市场直接竞争。国外营收占比64.1%，存储原厂(美光/闪迪/西部数据)盘前普跌对存储模组环节有明确传导路径。
光
78%
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光通信器件/模块全产品线，覆盖200G/400G/800G/1.6T高速光模块，接入和数据收入占比70.9%。与Marvell、英特尔在高速光模块电芯片配套上存在供应链关联，POET在硅光技术路线上与公司光芯片布局存在竞争。海外光通信板块普跌情绪传导至国内光器件龙头。
光
75%
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薄膜铌酸锂(TFLN)高速调制器芯片龙头，光通讯器件收入占比53.3%，国外营收占比50%。公告指出公司TFLN技术是1.6T以上超高速光模块核心技术方案，与POET(跌超3%)在高速光芯片/调制器技术路线上形成对标。海外光通信板块下跌叠加POET领跌，同技术赛道情绪传导。
海
70%
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国产高端处理器(CPU/DCU)龙头，处理器收入占比99.9%，与AMD x86 CPU架构存在技术同源对标。AMD盘前跌超3%，英特尔跌超2%，海外CPU/GPU厂商股价承压，市场关注国内替代标的表现。国产算力芯片自主化逻辑虽长期受益，但短期受海外板块下跌情绪干扰。