SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍
内存
高带宽存储器HBM
半导体
【SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍】据媒体报道，SK集团董事长崔泰源表示，SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍，以满足日益增长的由人工智能驱动的内存芯片需求。
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13 只 · 按关联度排序
太
92%
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子公司海太半导体(55%控股)与SK海力士签署第四期后工序服务合同，以"全部成本+约定收益"模式提供半导体封装测试后工序服务。2025年半导体业务收入占比15.3%、利润占比26.0%。SK海力士晶圆产能翻倍将直接带动海太半导体后工序服务量增长。
江
88%
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公司正在韩国建设生产基地，旨在实现对SK海力士、三星等重要客户的属地化覆盖。超高纯溅射靶材是SK海力士晶圆制造的关键材料，2025年超高纯靶材收入占比61.9%、利润占比78.0%。近4日主力资金净流入约3.93亿元，资金面认可度高。
澜
87%
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全球首款CXL MXC芯片被SK海力士、三星等内存厂商采用，推动CXL内存商用化。DDR5内存接口芯片(RCD/MDB/MRX)全球龙头，2025年内存接口芯片收入占比94.2%、利润占比99.2%。SK海力士扩产DRAM/HBM将直接带动接口芯片配套需求。
华
85%
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公司已进入SK海力士、英特尔、台积电、三星等全球领先半导体企业供应链体系，提供电子特种气体。电子特气是半导体制造第二大前道材料品种，2025年特种气体业务收入占比65.1%。SK海力士产能翻倍将大幅增加电子特气采购量。近4日主力资金净流入约5885万元。
兴
82%
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SK海力士(无锡)投资有限公司是公司限售股股东，存在直接投资关系。公司是国内湿电子化学品龙头，产品包括电子级磷酸、蚀刻液、清洗剂等，2025年集成电路领域收入占比84.6%。SK海力士扩产将增加湿电子化学品采购需求。
中
80%
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SK海力士(无锡)投资有限公司以36.53%出资比例参股江苏疌泉君海荣芯投资基金(中微公司关联基金)。公司是国内等离子体刻蚀设备龙头，拥有HBM概念标签，半导体设备收入占比100%。SK海力士计划产能翻倍，刻蚀设备是晶圆制造核心环节，将直接受益。
佰
78%
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国内存储模组龙头，据弗若斯特沙利文为全球唯一具备晶圆级封测技术的独立存储解决方案供应商，拥有HBM概念标签。2025年嵌入式存储收入占比60.9%，PC存储32.7%。上游DRAM晶圆主要采购自SK海力士、三星、美光，SK海力士扩产将稳定供应并降低成本。
神
75%
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国内刻蚀用大直径硅材料龙头，产品纯度达10-11个9，可满足7nm及以下先进制程需求。2025年年报专门分析SK海力士扩产:预计2026年资本支出增至30万亿韩元以上，重点投向清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群。硅材料是刻蚀设备核心零部件上游。
盛
73%
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国内半导体清洗设备和先进封装湿法设备龙头，拥有HBM概念标签。产品覆盖晶圆制造和先进封装全流程，2025年半导体设备业务收入占比95.8%，毛利率47.48%。SK海力士扩产DRAM/HBM将增加对清洗设备和先进封装湿法设备的采购需求。
赛
72%
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拥有高带宽存储器(HBM)概念标签，提供晶圆缺陷检测机、固晶设备、分选设备等半导体检测设备。2025年半导体业务收入占比17.8%、利润占比19.4%。SK海力士扩产HBM/DRAM将增加对半导体检测设备的需求。
江
70%
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全球领先的半导体存储品牌企业，拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线。2025年嵌入式存储收入占比44.0%，内存条9.7%，海外收入占比66.8%。上游DRAM+NAND晶圆来自SK海力士等原厂，扩产将扩大上游供应。
普
68%
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子公司SHM(SkyHigh Memory)原由SK海力士旗下SK hynix system ic Inc.出资设立，资产收购关系明确。公司推出DDR5内存模组配套SPD及温度传感器产品，受益于DDR5渗透率提升。SK海力士聚焦HBM/DDR5高端产能扩张将推动DDR5生态加速普及。
兆
65%
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国内存储芯片设计龙头，SPI NOR Flash全球市场份额第二，利基型DRAM产品包括DDR3L/DDR4/LPDDR4。2025年存储芯片收入占比71.3%。SK海力士战略重心转向HBM/DDR5高端产品，将让出部分利基型DRAM市场，利好兆易创新国产替代。