最高人民法院终裁维持禁令，英飞凌相关氮化镓产品被禁止在中国境内销售，英诺赛科取得专利侵权案最终胜利
氮化镓
第三代半导体
2026年6月12日，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，英飞凌相关氮化镓（GaN）产品被禁止在中国境内销售。此前在2026年5月27日，苏州中院已就英诺赛科起诉英飞凌发明专利侵权案做出英诺赛科胜诉的判决：英飞凌被判侵犯英诺赛科两项氮化镓核心发明专利，须立即停止销售、许诺销售、进口等行为，并赔偿英诺赛科损失合计1000万元。最高人民法院此次裁定为最终裁定，标志国产半导体企业在第三代半导体专利领域取得关键胜利。
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新
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国内功率器件（MOSFET/IGBT）龙头，GaN功率器件已纳入产品线；2025年报引用GII数据预测2026年中国GaN功率半导体市场达8.47亿美元。英飞凌CoolGaN被禁后，公司作为国内GaN功率器件设计领军企业（连续五年列中国功率器件十强），将直接承接市场份额。近5日主力净流入1.93亿元，资金面明显抢筹。
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中国电科控股，通过重大资产重组注入GaN通信基站射频芯片与器件业务，含'氮化镓微波产品精密制造生产线建设项目'（2026年3月公告在投）。2025年报显示第三代半导体器件及模块收入占比达45.3%，利润占比46.2%。英飞凌GaN产品被禁将加速射频GaN器件国产化，公司直接受益。6月12日主力资金净流入1.36亿。
国
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国内GaN射频模块龙头，2026年度行动方案披露GaN射频模块已批量化供应，硅基GaN功放芯片在业内首次实现终端射频领域量产交付。核心产品T/R组件和射频模块收入占88.4%，依托三代（Si/GaAs/GaN）半导体技术体系。英飞凌被禁加速国产GaN射频替代，公司作为中电科旗下射频平台直接受益。近5日主力净流入1.68亿。
三
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国内化合物半导体绝对龙头，主营GaN外延片、芯片，概念板块含'氮化镓''第三代半导体'；集成电路芯片收入占16.2%，2025年报显示公司以GaN、SiC等化合物半导体为核心主业。英飞凌GaN产品被禁后，公司作为国内唯一GaN全产业链（衬底→外延→芯片）IDM龙头，替代空间最大。6月12日主力净流入1.03亿元。
斯
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国内功率半导体标杆，GaN功率模块已实现小批量生产，公告披露掌握GaN芯片铝带键合、多芯片并联、驱动技术等全套核心技术。英飞凌是公司招股书中列出的直接竞争对手，CoolGaN被禁后公司GaN功率模块有望加速替代。全球IGBT模块市占率第五，客户覆盖新能源汽车、新能源等领域。
芯
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公司GaN HEMT功率器件已列入主营产品线，2025年报明确将GaN功率器件定位为PD快充、电源适配器、车载充电、服务器电源等核心应用方向——这些正是英飞凌CoolGaN的主力应用领域。GaN器件可实现更低导通电阻和栅极电荷，在高频应用中优势显著。
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国内领先的电源管理模拟芯片设计企业，公告披露掌握基于Flyback架构的GaN功率器件控制技术以及GaN驱动控制集成技术，可无需辅助器件直接驱动GaN功率管。产品覆盖PD快充全链条。英飞凌被禁后GaN快充芯片国产替代需求提升。近5日主力净流入8596万元，资金面积极。
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公司2025年报披露GaN相关产品持续发力，已量产全新一代AHB方案、LLC方案平台及SSR/PFC平台，GaN功率覆盖几瓦到几百瓦。高频GaN控制和驱动器产品覆盖手机快充、智能排插、适配器、家电、工业电源等应用。英飞凌被禁后公司在GaN驱动控制芯片市场的国产替代空间打开。近5日主力净流入1.05亿。
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公司2025年报显示已升级至第四代Smart-SJ/Smart-SGT/Smart-Trench/Smart-GaN智能功率芯片技术平台，电源方案从10W到140W、从超结器件到GaN/SiC全覆盖。新国标GB 20943-2025强制推动GaN应用。GaN电源芯片方案直接受益于英飞凌CoolGaN被禁后的市场空缺。
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全球GaN基LED MOCVD设备市占率第一的供应商。2025年报显示面向GaN功率器件的MOCVD设备已发往下游客户量产验证，将为GaN功率器件外延国产化提供关键设备支撑。英飞凌被禁后国内GaN功率器件扩产加速，将直接拉动公司MOCVD设备需求。6月12日主力净流入2.45亿元。
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2025年12月公告与国内传动领域头部公司签署战略合作协议，重点围绕GaN功率半导体器件开展联合共研，攻坚电控系统、液压系统、伺服系统、机器人等市场。公司主营IGBT/FRED功率半导体模块（收入占76.7%），GaN产品线的推进直接受益于英飞凌被禁带来的国产替代窗口期。
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华南最大内资IC封装企业之一，掌握5G基站GaN射频功放塑封封装技术，产品'5G基站用氮化镓分立式射频器件'获广东省名优高新技术产品认证。公司提供GaN射频器件封装服务，英飞凌被禁后国内GaN器件扩产将带动封装需求增长。
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公司2025年报披露聚焦GaN材料在LED领域的技术研发，2020年正式进入GaN电力电子器件领域，产品面向快充、服务器电源、通信及汽车应用，2025年外延及器件研发制造实现突破。国企（京东方控股），GaN电力电子器件业务尚处早期但方向明确，受益于英飞凌禁令带来的行业替代情绪。
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公司化合物半导体装备布局覆盖GaN领域，2025年报指出GaN材料正从技术验证转向规模化商用爆发期。公司主营晶体生长设备，虽以SiC为重但GaN装备需求增长将带动其化合物半导体装备业务。属于间接配套环节。
盛
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公司2025年报推出6/8英寸化合物半导体湿法工艺产品线，支持GaN、SiC、GaAs等工艺应用。作为国内半导体清洗设备龙头，GaN芯片扩产将带动其湿法设备需求。属于间接受益的设备配套环节。