SK海力士开始供应下一代面向AI的存储器“HBM4E”12层堆叠样品
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高带宽存储器HBM
【SK海力士开始供应下一代面向AI的存储器“HBM4E”12层堆叠样品】财联社6月18日电，SK海力士18日宣布，公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。
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太
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子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》，专门为SK海力士提供半导体后工序（封装测试）服务，2026年度日常关联交易预计持续。海太半导体对SK海力士应收账款规模超8,500万美元。HBM4E放量将直接增加海太后工序业务量。
香
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子公司联合创泰是SK海力士官方授权分销商，拥有SK Hynix、MTK等一线品牌代理资格。公司概念板块含"高带宽存储器HBM"，2025年报显示电子元器件分销收入占比94.2%。近5日主力净流入约25.9亿元，资金反应积极。
雅
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半导体前驱体材料是HBM制造关键材料，概念板块含"高带宽存储器HBM"。半导体业务收入占比31.4%、利润占比42.1%。前驱体在DRAM和HBM的ALD/CVD沉积中必需，HBM4E产能扩张将拉动需求。
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已量产适用于TSV工艺的铜互连电镀添加剂，深宽比可达20:1。年报明确"TSV技术作为先进封装核心工艺，通过与2.5D/3D封装融合成为推动芯片性能提升的关键路径"，直接受益于HBM TSV工艺扩产。
德
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年报明确指出"HBM存储器封装带动TSV材料、ABF载板、高导热界面材料等高端品类需求激增"。集成电路封装材料收入占比16.2%，利润占比25.3%，提供HBM封装用电子级粘合剂和功能性薄膜材料。
利
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正在研发"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"项目（董事会决议公告），是国内知名独立第三方芯片测试服务商。HBM4E量产前需严格芯片测试验证，测试需求将随出货量同步增长。
佰
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年报深入分析HBM市场，指出"HBM4正从送样验证迈向大规模量产"，并披露已构建覆盖2.5D、Chiplet、RDL等先进封装技术平台。受益于HBM带动存储行业景气上行及先进封装能力溢价。
澜
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内存接口芯片全球龙头，MRCD/MDB芯片支持12800MT/s传输速率，为下一代计算平台提供内存带宽提升方案。HBM4E推动AI算力升级将同步拉动DDR5内存模组及其接口芯片需求，内存接口芯片收入占比94.2%。