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HBM概念午后异动拉升 太极实业涨停续创历史新高

高带宽存储器HBM
【HBM概念午后异动拉升 太极实业涨停续创历史新高】午后HBM概念异动拉升,太极实业涨停续创历史新高,此前中天精装3连板,华海诚科涨超10%,兴森科技、德邦科技、壹石通等跟涨。消息面上,SK海力士表示,已向主要客户交付了用于人工智能(AI)的下一代HBM4E DRAM样品。该公司在一份声明中表示,将与合作伙伴紧密合作以及时实现量产。

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16 只 · 按关联度排序
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控股子公司海太半导体(持股55%)是SK海力士持股45%的合资企业,自2009年为SK海力士提供后工序服务。2025年6月签署第四期服务合同(2025.7-2030.6),按全部成本+约定收益模式定价。2022-2024年对SK海力士年均营收超36亿元,占该业务总量82%+。HBM4E量产直接拉动后工序需求。
92%
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间接参股远见智存(穿透持股6.71%),聚焦HBM设计制造。2025半年报将HBM设计制造定为战略转型方向。远见智存提供HBM DRAM堆叠与核心IP,HBM2/2e已完成终试推动量产,HBM3/3e在研。近期3连板,主力5日净流入1.14亿元。
90%
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国内环氧塑封料龙头(收入占比93.5%),重点布局先进封装用FC底填胶与液态塑封料(LMC),正在开发适用于2.5D/3D封装用超细间隙底填胶。HBM4E的3D堆叠需要更高性能的底部填充材料和塑封料,公司产品直接受益。新闻中涨超10%。
88%
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存储芯片研发封测一体化公司,2025年报提到HBM4基于1c nm工艺将量产,HBM作为3D堆栈高性能DRAM打破带宽瓶颈。掌握16/32层叠Die、超薄Die等先进封装量产能力。HBM市场2025年达307.5亿美元(同比+100%)。近5日主力净流入超2.1亿元。
85%
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IC封装基板收入占比23.2%,半导体测试板3.3%。IC封装基板是HBM封装的核心载板。HBM4E量产将带动高端IC载板需求。国内PCB样板龙头,已切入半导体封装基板领域。新闻中明确跟涨。
85%
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高端电子封装材料供应商,集成电路封装材料收入占比16.2%,产品包括底部填充胶、晶圆固定材料等。2025年报指出封装材料正向超高导热、超细线宽迭代,在高性能底部填充胶等环节加速突破。HBM4E的3D堆叠对材料要求更高。
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球形硅微粉龙头,用于先进封装EMC(环氧塑封料)和LMC(液态塑封料)的填充材料。概念板块包含HBM和Chiplet,LMC用球形二氧化硅项目已进入工程化阶段。HBM4E先进封装需要更高填充率、更低粘度的球形硅微粉。
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国内独立第三方芯片测试龙头,正在研发HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发项目。HBM4E测试复杂度远高于传统DRAM,需要专用测试方案。HBM4E量产将带来新增测试需求,公司掌握芯片成品测试和晶圆测试核心技术。
83%
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量产适用于TSV工艺的铜互连电镀添加剂,已实现3D-TSV中微孔高效电镀填充(深宽比达20:1)。TSV是HBM 3D堆叠的核心工艺,HBM4E需要更小孔径、更高深宽比的电镀填。集成电路材料收入占比76.3%。
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2025年报明确布局支撑2.5D/3D、TSV、HBM等先进封装技术的剥离液、电镀液、键合配套试剂等湿化学品。集成电路收入占比84.6%,国家大基金支持的湿电子化学品龙头。HBM4E量产拉动高纯湿化学品需求。
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国内TSV先进封装龙头,公开表示在HBM技术相关的封装工艺研发上取得进展。公告指出TSV是HBM及2.5D/3D封装的核心载体,HBM驱动先进封装成为AI算力扩张核心增量环节。拥有领先的晶圆级TSV封装技术。
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全球领先的芯片成品制造服务商,拥有2.5D/3D封装技术并已量产,大尺寸封装(基板超100mm)已开始生产。2025年报指出高性能芯片加速导入2.5D/3D封装,高密度存储是核心应用领域。HBM4E量产利好先进封装需求。
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国内集成电路封测龙头,营收97.6%来自封测业务。与AMD深度绑定,具备2D+先进封装能力。HBM4E量产带动先进封装行业景气度上行,封测环节直接受益。公司在南通、合肥等基地持续扩产先进封装产线。
78%
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半导体前驱体材料是HBM制造中薄膜沉积工艺核心材料,2025半年报明确布局AI先进封装所需前驱体材料。半导体业务收入占比31.4%,产品涵盖前驱体、封装粉体填充料等。HBM概念板块直接受益于HBM4E量产的半导体材料需求。
78%
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存储芯片设计龙头,NOR Flash全球第二。2025年报指出AI服务器带动HBM、DDR5需求激增,头部公司向HBM迁移改善利基型DRAM竞争格局。公司DRAM产品线受益于HBM带动的存储行业高景气。
75%
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HBM概念板块个股,主营电子通信功能填充材料可用于先进封装。但核心收入来自锂电池涂覆材料(勃姆石),HBM关联度相对间接。新闻中跟涨,作为HBM概念的情绪联动标的。