韩国KOSPI指数涨逾2% SK海力士涨6.5%
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高带宽存储器HBM
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【韩国KOSPI指数涨逾2% SK海力士涨6.5%】财联社6月22日电，韩国KOSPI指数上涨2.1%至9238.21点。SK海力士股价上涨6.5%，三星电子上涨2.1%。
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10 只 · 按关联度排序
香
92%
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SK海力士授权分销商。公司档案明确记载拥有SK Hynix海力士、MTK联发科等一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占比94.2%，核心代理产品覆盖服务器、手机等领域，概念板块包含高带宽存储器HBM。近10日主力资金净流入约15.5亿元，资金面强势。
华
90%
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已进入SK海力士供应链体系。公司档案确认客户含SK海力士、三星、英特尔、台积电等全球领先半导体企业。2025年报明确指出公司为HBM核心TSV刻蚀工艺提供高端特种气体，HBM市场规模2026年预计达546亿美元。公司特种气体收入占比65.1%，直接受益于HBM产能爆发。
兴
85%
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已通过SK海力士产品认证。2025年报显示公司电子级磷酸、电子级硫酸等产品已获得SK海力士、中芯国际、长江存储、台积电等境内外知名集成电路厂商认证。公司主营湿电子化学品，集成电路行业收入占比84.6%，用于芯片制造湿法刻蚀和清洗环节。
中
82%
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国产刻蚀设备龙头，HBM制造核心设备供应商。年报披露HBM通过TSV和先进封装工艺将DRAM堆叠，而公司的等离子体刻蚀设备是TSV硅通孔制造的关键设备。概念板块含高带宽存储器HBM。近10日主力资金净流入3.4亿元，境外持仓比例10.52%显著高于市场均值。
雅
80%
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半导体材料核心供应商，概念板块含高带宽存储器HBM。2025年报半导体材料收入占比31.4%，电子材料整体收入占比59%。公司通过前驱体、电子特气、光刻胶等产品深度参与集成电路制造产业链，客户覆盖国内主流存储晶圆厂，受益于SK海力士引领的HBM扩产带动的材料需求。近10日主力资金净流入约5.0亿元。
神
76%
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刻蚀用单晶硅材料及硅零部件龙头。年报直接讨论SK海力士HBM战略布局，指出HBM产品对TSV工艺提出更高要求，推动刻蚀技术和应用需求增长。公司硅零部件收入占比54.1%，已进入中国主流存储芯片制造厂和刻蚀设备厂供应链，HBM产能扩张带动刻蚀零部件需求。
盛
75%
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TSV清洗设备供应商，概念板块含高带宽存储器HBM。年报详细阐述公司TSV清洗设备用于2.5D/3D先进封装中HBM工艺，背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗。公司半导体清洗设备收入占比33.2%，先进封装湿法设备2.5%，是HBM先进封装关键工艺设备国产替代标的。
佰
72%
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存储芯片公司，概念板块含高带宽存储器HBM。2025年报用大篇幅讨论HBM行业趋势：2025年HBM市场规模307.5亿美元（同比+100%），HBM4即将量产。公司嵌入式存储收入占比60.9%，以存储+晶圆级先进封测双轮驱动，搭载HBM/AI存储行业景气上行周期。
兆
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国产存储芯片龙头。2025年报显示存储芯片收入占比71.3%（NOR Flash+利基型DRAM），公司DRAM产品量价齐升，DDR4 8Gb产品在TV、工业等领域客户导入成效显著。SK海力士、三星等存储原厂股价大涨映射存储行业高景气，公司作为国内存储领军直接受益行业上行。
澜
66%
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全球DDR5内存接口芯片龙头，内存接口芯片收入占比94.2%。年报披露DDR5 MRDIMM高带宽内存模组标配MRCD/MDB芯片以满足AI对内存带宽需求。SK海力士引领的HBM和DDR5内存升级周期直接带动公司互联类芯片需求，近10日主力资金流向中性偏多。