美光科技CEO表示，预计第四财季资本支出约为100亿美元，预计2026财年全年资本支出约为270亿美元。2027财年各季度的资本支出将高于2026第四财季的水平。
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美光科技CEO表示，预计第四财季资本支出约为100亿美元，预计2026财年全年资本支出约为270亿美元。2027财年各季度的资本支出将高于2026第四财季的水平。
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华
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公司是美光科技（Micron）的电子特气直接供应商，公司简介明确载明'进入了英特尔、美光科技、台积电、SK海力士、英飞凌、三星等全球领先半导体企业的供应链体系'。美光270亿美元资本开支将直接拉动其供应链采购，华特气体已覆盖国内8寸以上晶圆厂超90%，国外收入占比21.6%，受存储扩产直接利好。近5日主力资金呈净流出约1.2亿元，尚未充分反应此事件。
佰
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公司年报明确将美光列为全球三大DRAM原厂之一，从美光等采购存储晶圆。公司营收97.5%来自集成电路，嵌入式存储占收入60.9%。年报中详细分析HBM市场（2025年307.5亿美元，同比增长超100%）及美光扩产对供应链的影响。美光270亿美金资本开支信号直接利好上游晶圆供应稳定性和公司成本结构。
江
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国内存储品牌龙头，嵌入式存储占收入44%、固态硬盘24.5%，海外收入占比66.8%。作为DRAM/NAND模组厂商，从美光等存储原厂采购晶圆。美光大规模资本开支表明对存储市场长期增长的信心，保障供应链产能供给，利好下游模组厂商的采购稳定性与规模增长。
盛
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半导体清洗设备龙头，年报披露清洗设备在DRAM工艺中有70多步应用，客户涵盖国内外主要存储晶圆厂。公司明确表示'受益于本土需求的提升，未来几年主要客户将保持较高强度的资本开支节奏'。美光扩产信号印证全球存储资本开支上行周期，公司作为设备商间接受益于产业链扩产景气传导。
兆
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国内最大存储芯片设计公司，存储芯片收入占比71.3%（NOR Flash全球第二、SLC NAND + 利基型DRAM），与美光在NOR Flash和利基DRAM市场存在直接竞争/替代关系。美光巨额资本开支验证存储行业高景气，同时加速国产替代逻辑，公司作为国产存储芯片龙头直接受益于行业上行周期。
精
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半导体存储器件测试设备供应商，收入占比55.6%。产品包括DRAM FT测试机、DRAM通用测试验证系统等，直接服务于DRAM/NAND晶圆厂和封测厂的扩产需求。美光270亿资本开支及2027年继续扩产的信号，预示全球存储器测试设备需求将持续增长，公司直接受益。
中
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半导体刻蚀设备龙头，年报明确讨论3D NAND制造（200层以上已进入大生产，更高层数正在开发），刻蚀设备是存储器制造核心设备之一。美光大规模资本开支主要用于DRAM和3D NAND产能扩张，拉动刻蚀设备全球需求，公司作为国内刻蚀设备龙头间接受益产业链景气。
德
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存储主控芯片设计+存储模组企业，100%收入来自存储业务（固态硬盘42.5%、嵌入式存储34%）。自研主控芯片配合国产存储颗粒实现全栈国产化方案。美光扩产带动存储市场景气上行，同时强化国产替代紧迫性，公司作为存储主控+模组一体化厂商显著受益。
利
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独立第三方芯片测试服务商，正在研发'HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发'项目。美光扩产直接增加HBM及DRAM/NAND芯片测试需求，利扬作为国内稀缺的存储芯片测试服务商将直接受益于存储芯片出货量的增长。
龙
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国内稀缺的独立第三方半导体掩模版厂商，年报明确写道'先进封装与HBM高带宽内存技术的融合将进一步深化，直接带动先进封装专用掩模版需求持续爆发'。美光大举扩产HBM和先进存储器，将拉动上游掩模版需求增长，公司作为国内掩模版龙头受益于扩产周期。
朗
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'存储第一股'，闪存盘发明者，闪存应用产品收入70.9%、闪存控制芯片及其他27.2%，海外收入58.1%。产品覆盖SSD、DRAM内存条、嵌入式存储。美光资本开支扩张验证存储行业景气，公司作为老牌存储模组厂商间接受益于供给端保障和行业发展。
普
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国内NOR Flash和EEPROM非易失性存储器芯片设计企业，100%收入来自芯片产品。美光扩产信号验证存储行业高景气，公司作为国产存储芯片设计厂商受益于行业周期向上和国产替代加速。