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财联社6月25日电,日经225指数开盘涨1.34%。韩国KOSPI指数涨2.7%,SK海力士涨11%,三星电子涨5%。

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财联社6月25日电,日经225指数开盘涨1.34%。韩国KOSPI指数涨2.7%,SK海力士涨11%,三星电子涨5%。

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控股子公司海太半导体2025年7月与SK海力士正式签署《第四期后工序服务合同》,以"全部成本+约定收益"模式向SK海力士提供半导体后工序服务,是A股中与SK海力士业务绑定最深的公司。半导体业务收入占比15.3%,SK海力士涨11%直接利好业绩预期。
92%
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公司是SK海力士电子元器件授权分销商(上市公司简介明确写明拥有SK Hynix代理资格),电子元器件分销收入占比94.2%,SK海力士是核心代理线。存储芯片涨价周期中分销商直接受益于销售额和利润率双升。
90%
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公司已进入SK海力士、三星电子、英特尔、美光等全球领先半导体企业供应链体系,是国内对8寸以上晶圆厂覆盖超90%的电子特气厂商。高纯三氟甲烷、乙硅烷等是HBM/3D NAND核心耗材,半导体收入占比39.5%,直接受益SK海力士扩产。
88%
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年报明确披露与三星、SK海力士等存储晶圆原厂签订长期供货协议,是少数能与存储原厂建立直接合作关系的国内厂商。嵌入式存储收入占比60.9%,获国家大基金二期战略投资,存储涨价周期中产品售价同步提升。
85%
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全球内存接口芯片龙头,DDR5 MRCD/MDB高带宽内存接口芯片收入占比94.2%。三星/海力士主导的DRAM景气上行直接拉动DDR5渗透加速,公司产品是服务器内存模组核心芯片,AI服务器对高带宽内存需求激增提供长期动力。
85%
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国内存储芯片设计龙头,存储芯片收入占比71.3%。SPI NOR Flash全球市占率第二,累计出货超270亿颗,已量产4Gb DDR4切入利基型DRAM市场。三星/海力士大涨确认存储行业景气上行,公司是A股存储芯片收入占比最高的Fabless设计公司。
82%
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通过ISSI布局DRAM存储芯片,存储芯片收入占比61.4%。年报明确分析三星、海力士将产能转向HBM导致传统DRAM产能受挤压,引发缺货涨价潮,公司直接受益于DRAM涨价红利。AI服务器推动存储需求爆发。
80%
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全球领先的存储品牌企业,Flash及DRAM存储产品全覆盖(嵌入式44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%)。公告中明确讨论HBM市场2025年规模将翻倍达340亿美元,公司作为存储模组厂商直接受益量价齐升。
78%
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国内存储主控芯片+存储模组制造一体,固态硬盘收入42.5%、嵌入式存储34%。产品涵盖NAND Flash和DRAM模组,直接采购三星/海力士存储晶圆进行模组加工,涨价周期中模组售价同步传导上涨,业绩弹性显著。
78%
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全球第三大封测企业,拥有2.5D/3D先进封装技术(HBM封装核心工艺),在韩国设有生产基地。芯片封测收入占比99.6%,存储芯片封测是重要业务板块。SK海力士30万亿韩元扩产计划直接增加封测环节外包需求。
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国内领先的半导体存储器测试设备厂商,半导体存储器件测试业务收入占比55.6%。年报分析全球存储厂商将产能投向HBM及高端存储,直接利好高端测试设备商。DRAM FT测试机和老化测试设备是HBM/DRAM扩产必备配套。
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半导体前驱体材料和光刻胶供应商,半导体收入占比31.4%。前驱体是DRAM和HBM制造中的关键材料,已进入三星、海力士等存储大厂供应链。SK海力士扩产直接拉动前驱体材料需求增长。
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存储半导体业务收入占比26%,是国内重要的存储芯片封测与模组制造服务商,产品包括内存条、固态硬盘等。存储原厂涨价周期中封测环节产能利用率提升,公司拥有HBM相关封测技术储备。
70%
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半导体级单晶硅材料供应商,公告中详细讨论SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上、重点投向清州M15X晶圆厂,产品进入韩国主流半导体客户供应链。大直径硅单晶材料用于刻蚀环节,扩产拉动需求。
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闪存盘发明者,闪存应用产品收入占比70.9%。年报分析NAND/DRAM整体需求增长18%-25%,北美云服务商需求大增导致存储合约价涨幅超30%,公司作为存储产品品牌商直接受益于涨价周期,海外收入占比58.1%。
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数据存储设备收入占比36.7%,智能算力产品22.6%。与英伟达深度合作(获NVIDIA CLOUD PARTNER资质),AI服务器部署需要大量HBM/DRAM存储配套。SK海力士HBM产能扩张验证AI算力需求爆发,间接利好。