日本化学和RASA宣布将于7月1日起停止向中国大陆供应高纯红磷，光芯片核心原料面临断供
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日本化学和RASA宣布自2026年7月1日起停止向中国大陆地区供应高纯红磷。高纯红磷是磷化铟衬底、光通信芯片、射频器件的核心基础原料，此前国内市场大多依赖海外进口，产业链关键材料环节长期被国外卡脖子。荆州方面发布《光芯片的"命门"材料》指出当地已实现高纯红磷技术突破。断供将直接倒逼光芯片上游材料的国产替代加速，对国内具备高纯红磷或磷化铟产能的企业形成强催化。
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兴
95%
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公司位于湖北宜昌，2025年报披露"在行业内首创开展电子级磷烷催化分解制备电子级高纯红磷的研究，经过小试已成功将磷烷分解效率提高至95%以上"，并推进"开发磷烷法制备高纯红磷"产业化。断供材料正是高纯红磷，是A股唯一公开披露直接研发电子级高纯红磷量产技术的标的，区位临近荆州技术突破地。
云
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2026年4月公告实施"高品质磷化铟单晶片建设项目"，总投资1.886亿元，扩建至年产45万片磷化铟单晶片。磷化铟衬底以高纯红磷为核心原料，断供直接推升国产InP衬底需求。化合物半导体材料收入占比12.9%，拥有从锗到磷化铟的完整材料技术积累。
源
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年报明确表示"基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片"为核心产品。IDM模式的光芯片龙头，数据中心产品收入占比65.4%，直接使用磷化铟衬底生产激光器/探测器芯片。断供倒逼InP衬底国产化，近5日主力净流入约5216万元。
兆
85%
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2026年3月公告投资建设"年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目"，建设"砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线"。直接布局InP激光芯片制造，高纯红磷是InP激光晶圆核心原料。断供催化国产替代，LED系列利润占比57.3%。
光
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2025年报指出光调制核心技术聚焦"硅光（SiPh）、磷化铟（InP）和铌酸锂三大材料平台"，InP平台是超高速光通信调制器芯片与模块的核心技术路线。光通讯器件收入占比53.3%，断供加速InP材料国产替代。
光
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总部在湖北武汉，紧邻荆州技术突破区域。连续18年入选"中国光器件最具竞争力企业10强榜首"，具备光电子芯片、器件、模块全产业链能力。InP衬底是高速模块核心原材料，断供下国产替代优先保障其供应链安全。
天
78%
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光有源器件收入占比58.1%，高速光器件封装ODM/OEM业务直接使用InP光芯片作为核心元件。海外收入占比74.3%，是全球光模块产业链重要环节。断供催化InP芯片国产化，公司作为下游核心采购方受益。
有
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2025年报明确披露"重掺红磷更低阻产品在多家客户实现批量供应"，红磷作为N型掺杂剂是其硅片产品关键原料。收入97.6%来自集成电路用材料。断供下红磷供应紧张突显重掺红磷硅片产品的战略稀缺性。
铭
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光通信产品收入占比18.4%，高速光模块（800G LPO、1.6T）与客户联合开发。InP光芯片是高速模块核心器件，断供加速国产InP芯片导入，公司作为模块厂商受益于供应链自主化带来的成本优势。