开源电子汇总：韩国10年4.42万亿半导体Capex、美光大幅上修资本开支、苹果寻求采购长鑫芯片、日本设备商涨价
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国产芯片
内存
韩国政府宣布三星电子与SK海力士将于6月29日公布超大规模Capex计划，预计未来10年投入约4.42万亿元人民币；美光最新财报将2027财年资本开支从350亿美元上修至400亿美元以上；苹果正在游说美国政府，寻求批准从长鑫存储采购内存芯片以控制成本；东京电子、Screen等日本设备商借助日元贬值和AI需求向客户提出3%-4%涨价请求，SK海力士已收到涨价请求。半导体设备正成为全球半导体产业的结构性瓶颈，本轮资本开支周期持续度有望超过历史周期。
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8 只 · 按关联度排序
兆
93%
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公司董事长朱一明同时担任长鑫存储董事长（2025年报披露，双方为关联法人）；2026年关联交易公告显示预计向长鑫采购代工DRAM产品8.25亿美元（约57.11亿元）。苹果寻求从长鑫采购内存芯片直接利好兆易创新作为长鑫最核心战略伙伴的DRAM业务（存储芯片收入占71.3%）。
北
92%
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国内最大半导体设备平台，电子工艺装备收入占93.3%。2025年报披露公司董事同时兼任长鑫新桥存储技术有限公司、长鑫集电（北京）存储技术有限公司董事。全球三大存储巨头（三星/SK海力士10年4.42万亿、美光$400亿+ capex）资本开支大幅上修，直接拉动设备采购需求。
中
92%
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刻蚀及薄膜沉积设备龙头，100%收入来自半导体设备。刻蚀是3D NAND/DRAM先进制程核心设备，直接受益三星、SK海力士、美光等全球存储厂创纪录capex扩张。日本东京电子等设备商涨价3%-4%，进一步强化中微国产替代逻辑。
拓
90%
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CVD/ALD薄膜沉积设备龙头，96.6%收入来自半导体专用设备。2025年报显示公司董事同时兼任长鑫新桥/长鑫集电董事。全球存储厂资本开支持续超预期，薄膜沉积设备在DRAM/3D NAND制造中需求旺盛，苹果采购长鑫芯片加速后者扩产。
华
88%
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CMP（化学机械抛光）设备国内龙头，87.2%收入来自CMP设备，100%聚焦半导体行业。CMP是晶圆制造核心工艺环节，全球半导体资本开支扩张（三星/SK海力士/美光合计capex创新高）直接推动CMP设备需求增长。
澜
88%
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全球内存接口芯片龙头，收入94.2%来自内存接口芯片，利润占比99.2%。DDR5内存接口芯片直接用于服务器/数据中心DRAM模组。三星、SK海力士、美光大幅扩产DRAM（合计capex超历史周期）直接拉动内存接口芯片需求量。
神
85%
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大直径单晶硅材料供应商，2025年报明确披露产品通过下游硅零部件厂商最终进入东京电子（Tokyo Electron, TEL）刻蚀设备供应链，并最终用于三星/SK海力士等晶圆厂。日本东京电子涨价3%-4%背景下，公司产品性价比优势凸显，国产替代加速。
佰
82%
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存储模组及封测厂商，2025年报披露其存储晶圆直接采购自三星、SK海力士、美光、长鑫存储等原厂（引用TrendForce数据）。全球存储巨头资本开支持续上修，存储晶圆供给能力提升，公司采购成本优化及供应保障增强，直接受益存储产业景气上行。