美银：美光业绩强化存储超级周期预期 行业高景气或延续至2027年
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【美银：美光业绩强化存储超级周期预期 行业高景气或延续至2027年】美银在最新研报中表示，美光强劲的业绩和指引进一步印证全球存储芯片行业正处于超级周期，供需紧张和高端产品升级有望使高景气至少延续至2027年。基于美光财报，美银将2026年至2028年全球DRAM和NAND市场规模预测分别上调2%至4%。该行预计，2026年DRAM销售额同比增长316%，NAND增长295%；2027年仍将分别增长43%和29%。
美银认为，随着HBM等高端产品占比持续提升，以及长期协议逐渐成为主流，存储厂商未来有望在避免激烈价格竞争的同时，维持较高盈利能力，行业商业模式也将进一步向稳定、高利润方向转变。
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澜
93%
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内存接口芯片收入占比94.2%（2025年报），DDR5 RCD芯片国际标准牵头制定者。年报披露其下游客户三星、海力士、美光占全球DRAM 90%份额。美银预测2026年DRAM销售额同比增316%，DRAM量价齐升直接拉动内存接口芯片需求，且DDR5渗透率快速提升带动子代迭代升级（2025年报&2026Q1确认RCD芯片出货量显著增加）。
江
92%
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存储业务收入占比100%（2025年报：嵌入式44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%），是中国存储品牌龙头。存储超级周期中模组厂因低价库存重估弹性最大，DRAM和NAND价格上涨直接增厚利润。
佰
92%
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嵌入式存储60.9%+PC存储32.7%合计超93%（2025年报），2026Q1营收同比增341.53%，明确受益于AI算力与存储高景气周期。年报深度讨论HBM/DRAM超级周期，具备2.5D/Chiplet等先进封装能力（子公司泰来科技），兼具存储涨价弹性与HBM概念。
兆
90%
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存储芯片收入占比71.3%（2025年报），利基型DRAM产品包括DDR3L/DDR4/LPDDR4。年报确认利基型DRAM量价齐升、毛利率季度环比改善，因海外大厂转向HBM/DDR5退出利基市场。从长鑫采购DRAM代工，2026年关联交易预算8.25亿美元（约57亿元），直接受益于DRAM涨价。
北
90%
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存储芯片收入占比61.4%（2025年报），通过ISSI运营车规级/工业级DRAM，全球汽车DRAM市场领先。年报指出DRAM产品在汽车、工业等领域供应短缺将利好公司；ESG报告披露其车规级存储芯片在全球市场占据领先地位。存储涨价周期直接提升DRAM盈利能力。
聚
88%
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存储类芯片收入占比87.6%（2025年报），与澜起科技合作开发的DDR5 SPD芯片为全球唯二供应商（与瑞萨电子并列），年报确认已在主要内存模组厂商取得大范围应用。DDR5渗透率提升直接拉动SPD芯片需求，是DRAM超级周期最直接配套受益标的之一。
通
83%
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集成电路封装测试占比97.6%（2025年报），2025年净利润同比增79.86%，年报确认逻辑IC与存储芯片涨势强劲为驱动因素。子公司通富通科定位存储芯片封测基地，2026年增发预案明确募集资金用于存储芯片封测产能提升，HBM扩张带动先进封装需求。