三星HBM4E可靠性测试良率突破70%，第七代DRAM工艺计划11月完成生产准备认证
高带宽存储器HBM
半导体
三星电子首席技术官兼半导体研究所所长在内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上，标志着开发进程正式进入稳定区间（成熟良率门槛为80%）。同时透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得领先优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。
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华
90%
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公司已进入三星全球半导体供应链体系（公司简介明确列示三星为客户）；2025年报指出"三星、SK海力士、美光将70%新增产能投向HBM"，且"公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气"。三星HBM4E良率提升和D1d DRAM工艺推进将直接拉动公司高端特气需求，逻辑链因果距离为1（直接供应商）。
神
85%
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2025年报明确披露其大直径单晶硅材料"最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商"（通过Lam Research、TEL等设备商间接供应）。年报同时提及三星等三巨头均在推进新一代HBM，TSV刻蚀工艺要求更高。HBM4E和D1d工艺推进将增加刻蚀耗材用量，公司直接受益。
北
80%
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2025年报明确写道"全球存储厂商加速扩产，产能向HBM及高端3D NAND倾斜，HBM专用的TSV（硅通孔）设备成为新的增长点"，TSV设备覆盖深孔刻蚀、ALD、PVD、电镀等全环节。作为国内半导体设备龙头，三星HBM4E/D1d扩产将加速TSV设备需求，公司可提供国产替代方案。
华
78%
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2025年报披露其韩国子公司"具备开发HBM所要求的高导热EMC的技术能力，有望直接切入全球AI算力芯片供应链"；GMC（颗粒状环氧塑封料）GR910系列已在NAND Flash存储器件通过考核并实现批量供货。三星HBM4E和D1d DRAM扩产将带动先进封装材料需求，公司处于HBM封装材料核心环节。
上
76%
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2025年报披露TSV铜互连电镀添加剂已实现3D-TSV微孔高效电镀填充（深宽比达20:1），是HBM TSV工艺关键材料；晶圆制造蚀刻液系列产品用于3D NAND/DRAM存储器芯片制造，直接服务于D1d DRAM工艺需求。三星D1d和HBM4E量产的TSV及蚀刻工序将拉动公司电子化学品需求。
中
75%
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公司是国内等离子体刻蚀设备龙头，TSV深硅刻蚀设备是HBM 2.5D/3D封装核心工艺设备。2025年重组报告书将HBM和TSV列为关键增长领域。三星HBM4E可靠性良率提升和D1d DRAM工艺推进，将驱动全球先进封装刻蚀设备需求增长，公司作为国产刻蚀设备龙头间接受益。