英诺赛科与英飞凌氮化镓专利纠纷升级，相关产品在上海慕尼黑电子展被撤展
氮化镓
第三代半导体
7月2日，英诺赛科发文称，英飞凌侵权氮化镓（GaN）产品在上海慕尼黑电子展遭当场撤展下架，展出已被中国法院明确禁止销售、许诺销售、进口。7月3日，英飞凌通过微信公众号回应，称其表述未完整还原事件整体背景，涉案10个MVCoolGaN™G3产品型号目前仍处于司法程序之中，正依法通过相关法律程序主张自身合法权益，并就相关事实和法律问题寻求全面审查。
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中
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子公司博威是国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商（2025年报）。2025年报显示"第三代半导体器件及模块"收入占比45.3%，主营氮化镓通信基站射频芯片与器件，与英飞凌MVCoolGaN产品在基站射频功放领域直接竞争。英飞凌产品被中国法院禁售后，博威作为国内GaN射频龙头有望承接替代份额。
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国内化合物半导体龙头，2025年报明确将氮化镓（GaN）列为第三代半导体功率器件核心方向，产品覆盖低功率消费电子至新能源汽车、高功率数据中心、通信电源等应用，与英飞凌在GaN功率器件市场构成直接竞争。英飞凌产品在华被禁后，三安作为国内最大化合物半导体IDM企业有望承接市场份额。
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GaN射频模块产品已批量化供应国内移动通信基站（2026年度行动方案公告披露）；硅基氮化镓功放芯片在业内首次实现终端射频领域量产交付，超100万只（方正证券2026年4月研报）。公司以化合物半导体为核心，是移动通信基站射频器件核心供应商，直接竞争英飞凌GaN射频产品线。
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用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备已发往下游客户量产验证（2025年报），是国产GaN外延设备核心供应商。年报引用Yole数据：GaN功率器件市场预计从2024年3.6亿美金增至2030年超29亿美金（CAGR 42%）。英飞凌GaN被禁将加速国产GaN扩产，中微作为设备商直接受益。
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拥有GaN HEMT器件及氮化镓驱动IC产品线（2025年报），应用于PD快充、服务器电源等。年报明确指出全球功率半导体高端的功率器件主要被英飞凌、安森美等欧美大厂占据，国产厂商提升空间巨大，与英飞凌在GaN功率器件领域形成直接竞争。英飞凌产品遭禁售有利于公司加速国产替代。
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化合物半导体射频芯片业务含GaN-on-SiC芯片，收入占比9.1%（2025年报），产品应用于基站、无人机、卫星通信等。公司具备自主可控6英寸化合物半导体晶圆制造能力。与英飞凌GaN产品在下游通信基站、卫星通信领域形成竞争关系，英飞凌产品被禁为立昂微GaN业务提供国产替代机会。