存储芯片涨价与扩产共振：三星Q3 DRAM拟提价20%，美光93亿美元扩产HBM，江波龙中报预增超622倍
高带宽存储器HBM
闪存
内存
据产业消息，三星已口头通知客户第三季DRAM拟提价20%。美光科技宣布投资93亿美元扩建先进存储芯片项目，预计2028下半年出货HBM。A股存储龙头江波龙预告上半年净利润92亿元-110亿元，同比增长62204%-74394%。多重信号确认存储行业周期反转与供需紧张格局。
相关股票
8 只 · 按关联度排序
江
95%
加载行情
新闻直接点名的A股存储龙头。2026年中报预告净利润92-110亿元，同比增长62204%-74394%。公司100%营收来自存储业务（嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%等），直接受益于三星DRAM提价20%和美光扩产引发的行业涨价周期。
兆
90%
加载行情
国内存储芯片设计龙头，存储芯片收入占71.3%。年报明确披露“存储芯片营业收入同比增长约26.41%，其中利基型DRAM及SLC NAND Flash受益于行业供给紧缩带来价格较快上行”，与三星DRAM提价同属存储涨价周期，直接受益。
佰
88%
加载行情
存储模组龙头，嵌入式存储占营收60.9%，PC存储32.7%。年报披露其存储晶圆采购来自三星、SK海力士、美光等原厂，且公告大篇幅分析HBM市场（2025年HBM市场规模307.5亿美元，同比增长超100%），双重受益于DRAM涨价和HBM扩产趋势。
通
85%
加载行情
国内封测龙头，2025年报披露具备“通过硅通孔（TSV）与硅中介层技术，实现HBM”的先进封装能力，Chiplet/2.5D/3D封装产线完成通线。美光93亿美元扩产HBM将拉动先进封装产能需求，公司作为国内HBM封装候选供应商直接受益。
德
82%
加载行情
100%营收来自存储业务，其中固态硬盘42.5%、嵌入式存储34%。年报明确指出NAND Flash和DRAM晶圆供应商为三星、美光等少数原厂，价格受原厂策略影响极大。三星DRAM提价20%将直接推升其产品售价和毛利率，利润弹性显著。
艾
80%
加载行情
封装领域电镀液市占率约30%（国内第一），先进封装电镀材料覆盖HBM、3D堆叠芯片等核心工艺环节。美光93亿美元扩产HBM将拉动上游封装材料需求，公司作为关键材料供应商直接受益。
东
78%
加载行情
中国大陆少数能同时提供NAND Flash（占收入65.2%）、NOR Flash、DRAM完整存储芯片方案的公司。DRAM产品（DDR4等）占收入5.8%且处快速放量期。在存储涨价周期中，NAND和DRAM双产品线均受益于行业供需改善与价格上行。
华
76%
加载行情
国内CMP设备龙头，2025年报明确披露其CMP和减薄装备“可适配逻辑芯片、存储芯片及3D IC、HBM、CoWoS等先进封装场景”。美光93亿美元扩产HBM将带动上游设备资本开支，公司作为国内HBM关键工艺设备供应商具备替代机遇。