长鑫存储更新招股书26H1业绩大超预期，叠加SK海力士业绩创新高，看好前道设备厂商
高带宽存储器HBM
半导体
国产芯片
根据东吴机械研报，长鑫更新招股书显示26Q1实现收入508亿元（同比+719%），净利润330亿元（去年同期亏损28亿元）；预计26H1收入1100-1200亿元、净利润660-750亿元。海外SK海力士26Q1净利润1746亿元，净利率77%创全球半导体历史新高，HBM市占率约60%。AI算力需求爆发驱动HBM+DRAM价格暴涨。报告看好存储敞口较大的半导体设备商，包括北方华创（存储新签订单今年翻倍）、中微公司、拓荆科技、微导纳米、迈为股份等。
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5 只 · 按关联度排序
北
92%
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A股半导体设备龙头，电子工艺装备收入占比93.3%。东吴机械研报指出其存储新签订单今年翻倍。2025年报显示公司董事同时兼任长鑫新桥存储技术有限公司和长鑫集电（北京）存储技术有限公司董事，与长鑫存储存在深度业务绑定关系。长鑫26H1净利润660-750亿元将驱动其大规模扩产，北方华创作为国内品类最全的半导体设备平台将直接受益于存储产线资本开支扩张。
中
90%
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国内刻蚀设备龙头，100%收入来自半导体设备。2026Q1季报披露其ICP刻蚀设备在3D DRAM应用中取得140:1高深宽比刻蚀结果，已全面覆盖存储器刻蚀应用。公司概念板块包含高带宽存储器HBM。在3D NAND和DRAM堆叠层数持续提升的趋势下，刻蚀步骤数倍增，中微作为国产介质刻蚀龙头将直接受益于长鑫和SK海力士带动的存储扩产周期。
拓
88%
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国内薄膜沉积设备龙头，半导体专用设备收入占比96.6%。2025年报明确指出薄膜沉积设备是3D DRAM、3D NAND、高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片技术突破的核心支撑。公司董事亦同时兼任长鑫存储董事，与长鑫存在紧密业务联系。PECVD/ALD/SACVD全系列覆盖存储芯片薄膜工艺，长鑫业绩爆发催化的扩产将直接拉动其订单增长。
微
82%
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国内ALD与高端CVD设备主要供应商，2025年报披露其半导体设备收入8.81亿元（同比+169%），占比提升至33.5%。公告明确表示公司ALD和CVD设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线，对推动3D DRAM、3D NAND技术迭代具关键支撑作用。长鑫存储作为国产DRAM龙头扩产，将直接带动公司存储领域订单持续增长。
迈
68%
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东吴机械研报将其列入存储敞口设备商名单。公司半导体设备业务布局刻蚀与薄膜沉积设备，2025年报显示其半导体及显示行业收入占比约8.1%，已进入国内头部存储芯片生产厂。但公司主业以光伏设备为主（收入占比91.4%），存储设备敞口相对有限，弹性弱于前四家纯正半导体设备标的。