南亚科：公司产能将扩张近七成 DRAM维持供不应求至2028年
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【南亚科：公司产能将扩张近七成 DRAM维持供不应求至2028年】《科创板日报》10日讯，南亚科技在法说会指出，Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能，预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程，并新增产能约4.5万片，有助于提高单位晶圆bit产出。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%达到67.5亿Gb和103.3亿Gb。此外，由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨，且大型长约客户换约存在时间差，预计三季度ASP仍有上修空间。
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兆
92%
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公司为国内利基型DRAM龙头（存储芯片收入占比71.3%），与南亚科构成同赛道竞品。2025年报明确指出'海外大厂加快淡出利基型DRAM市场，该市场呈现显著供不应求的局面，自2025Q2起利基型DRAM产品量价齐升'，与新闻中'HBM排挤传统DRAM产能→DRAM供不应求至2028年'逻辑完全一致，直接受益于国际大厂产能迁移带来的竞争格局改善。
佰
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国内存储模组龙头，DRAM为公司核心原材料。2026年1-2月业绩预告明确披露'2026年存储行业迎来高度景气周期，AI算力与国产替代驱动DRAM/NAND价格持续上涨，行业供不应求，公司受益显著'；2026Q1营收同比增长341.53%，毛利率21.44%。DRAM涨价周期直接推高其产品售价与盈利能力。
北
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存储芯片收入占比61.4%（含车规级DRAM/SRAM），为全球车规存储主流供应商。2025年报指出'传统DRAM产能受到大幅挤压，尤其DDR4、LPDDR4产能严重不足，引发DRAM缺货和涨价潮'，并预计车规级、工规级DRAM产品供应短缺。国际大厂HBM排挤传统DRAM产能直接加剧公司所在细分市场的供需紧张。
精
82%
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半导体存储器件测试设备收入占比55.6%，产品线覆盖DRAM晶圆测试机、FT测试机、老化测试及修复设备等全流程测试方案。DRAM产能扩张（南亚科5A新厂增4.5万片）直接拉动后道测试设备需求，公司作为国内DRAM测试设备核心供应商确定性受益。
华
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国内CMP设备龙头（国产份额超90%），产品广泛应用于DRAM、3D NAND等主流工艺平台。2025年报披露CMP设备已通过多家头部晶圆厂全流程工艺验证，并加速产能扩张（北京/广州厂区投产）。DRAM/HBM大规模扩产周期直接驱动CMP设备采购需求。
澜
78%
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内存接口芯片全球龙头（收入占比94.2%），下游直接客户为三星、海力士、美光三大DRAM原厂。DRAM供需紧张至2028年→全球DRAM出货量持续增长→服务器内存模组需求提升→内存接口芯片用量同步增长，属于确定性受益的配套芯片环节。