【机构：HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定】DigiTimes报告显示，受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响，下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性：其生产周期长达四到六个月，且初始良率显著偏低；另一方面，HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍，严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。
进一步加剧供应紧张局面的是，当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。据DigiTimes预测，到2027年，全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。
相关股票
6 只 · 按关联度排序
兆
93%
加载行情
存储芯片收入占比71.3%（含利基型DRAM）。2025年报明确记载：'国际头部公司加速向HBM、DDR5等产品迁移，放弃或减少利基型产品生产，利基型DRAM价格迎来大幅上涨'，与新闻所述三大厂锁定DRAM产能于HBM完全对应。2026Q1营收规模显著攀升，存储芯片盈利能力大幅提升。国盛证券2026-05-07研报指出'利基存储全面涨价，充分受益'。
北
90%
加载行情
存储芯片收入占比61.4%（通过ISSI布局DDR4/LPDDR4等DRAM）。2025年报明确记载：'HBM产能急剧趋紧，三星、美光、海力士等大厂纷纷将更多产能转向HBM，传统DRAM产能受大幅挤压，引发DRAM芯片缺货和涨价潮'，与新闻核心论据一字不差。公司直接受益于HBM挤占产能带来的DRAM价格上涨周期。
华
87%
加载行情
公司档案明确记载已进入三星电子、SK海力士、美光科技（新闻所述三大HBM厂商）的全球供应链体系。2025年报确认高纯电子特气是'HBM高带宽内存、DRAM存储芯片核心刚需耗材'。HBM4生产周期长达4-6个月、良率偏低，将消耗更多特种气体，直接拉动公司电子特气需求放量。
中
83%
加载行情
2025年报明确记载：'硅通孔铜填充空隙量测设备系列主要应用于先进封装和HBM芯片制造'，'为先进逻辑、先进存储以及HBM 2.5D/3D封装等前沿领域提供一站式良率管理解决方案'。HBM4因极端复杂性导致良率偏低，量测设备需求倍增，公司作为国内唯一HBM专用TSV量测设备供应商直接受益。
精
80%
加载行情
半导体存储器件测试设备收入占比55.6%，为科创板HBM概念标的。2025年报指出：'全球主要存储厂商正将更多先进制程和新增产能优先投向HBM及高端服务器存储产品，直接利好具备高端测试能力的设备厂商'。HBM4测试复杂度与通道数要求更高，带动测试设备单价与需求双升。
通
76%
加载行情
2025年定增审核问询回复明确记载公司'通过硅通孔（TSV）与硅中介层技术，实现HBM与图形处理器的高密度集成'。作为国内封测龙头（年营收超238亿元），公司掌握2.5D/3D先进封装技术，HBM4堆叠层数增加将拉动先进封装配套需求，间接受益于HBM产业链扩张。