【科学家开发出芯片堆叠新工艺 将高带宽存储器集成密度翻两番】韩国工业技术研究所和浦项科技大学科学家开发出一项新工艺，能稳定堆叠10余片超薄半导体芯片，由此实现了约4倍于商用高带宽存储器（HBM）的集成密度。这一突破有望缓解人工智能（AI）面临的存储瓶颈。相关论文发表于新一期《工程成果》杂志。
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拓
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概念板块含「高带宽存储器HBM」。2025年报明确：公司混合键合设备应用于HBM（高带宽存储器）和3D IC三维集成，芯片对晶圆混合键合产品是HBM核心工艺设备。韩国该新工艺直接利好混合键合设备需求。
华
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概念板块含「高带宽存储器HBM」。2025年报披露减薄装备可覆盖HBM、3D IC、CoWoS、TSV等多领域关键工艺需求，CMP装备贯穿HBM键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程，是芯片堆叠密度提升的核心工艺设备。
通
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2025年定增审核回复函明确：公司通过硅通孔（TSV）与硅中介层技术实现HBM与图形处理器的高密度集成。多层堆叠封装是公司子公司通富通科的核心技术方向，集成电路封装测试收入占比97.6%。
艾
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2025年报明确：产品覆盖HBM、3D堆叠芯片等高端封装核心工艺环节，先进封装电镀液市占率约30%，深度绑定国内先进封装龙头。芯片堆叠层数提升对电镀液和配套试剂需求增加，公司直接受益。
长
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中国最大、全球前三的封测企业，芯片封测收入占比99.6%。拥有2.5D/3D封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）等先进封装技术，产品覆盖人工智能、高密度存储等领域，是芯片堆叠工艺商业化的核心载体。
屹
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2025年报指出HBM通过TSV技术实现多颗DRAM芯片垂直堆叠，对深硅刻蚀设备需求持续增长；3D堆叠技术大幅增加工艺复杂性。公司干法刻蚀设备是TSV制造关键设备，已进入全球前十大芯片制造商供应链。
佰
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概念板块含「高带宽存储器HBM」。2025年报详细分析HBM行业趋势，指出HBM4将于2026年量产；公司拥有先进封测服务（收入1.5%），是少数兼具存储模组与封测能力的A股上市公司。
雅
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概念板块含「高带宽存储器HBM」。半导体材料收入占比31.4%，产品包括HBM制造所需的前驱体材料（High-K前驱体等）。公司通过外延并购切入半导体封装材料、电子特气等领域，是国内HBM材料链核心供应商。
利
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2025年报披露研发项目包括「HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发」。公司在3D堆叠、Chiplet等新兴测试领域有技术储备，激光隐切工艺可提升芯片面积利用率，是国内独立第三方芯片测试龙头。
华
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国内三大封测龙头之一，集成电路产品收入占比100%。拥有TSV（硅通孔）、Bumping、Fan-Out、SiP、2.5D/3D等先进封装技术，产品覆盖存储、AI算力等芯片封装，直接受益于芯片堆叠技术升级。
华
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概念板块含「高带宽存储器HBM」。环氧塑封料收入占比93.5%，是先进封装核心耗材——「一代封装，一代材料」。芯片堆叠层数和集成密度提升对EMC材料性能提出更高要求，公司作为国产EMC龙头直接受益。
中
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国内半导体刻蚀设备龙头。2025年重组报告书中明确界定HBM（基于3D堆栈工艺的高性能内存）和TSV技术。公司的介质刻蚀和TSV刻蚀设备是HBM芯片堆叠工艺中硅通孔制造的核心装备，已进入国内外主流存储产线。
联
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概念板块含「高带宽存储器HBM」「芯粒Chiplet」。球形硅微粉收入占比58.4%，是先进封装环氧塑封料（EMC）的关键填料，用于HBM及3D封装。芯片堆叠层数增加对散热和填料性能要求提升，公司作为国内硅微粉龙头受益。